[发明专利]KDP类晶体长籽晶单锥生长方法

摘要

一种KDP类晶体长籽晶单锥生长方法，本发明提供的生长方法中，长籽晶下端受到下托盘的限制，上端自由成锥生长，同时[100]和[010]两个方向的四个柱面能够生长，晶体生长过程中不存在生长应力问题，所有切割出来的光学元件都具有很高的光学质量。由于生长过程是四个生长环境高度相似的柱面同时生长，且在晶体生长过程中通过叶状搅拌桨进行搅拌，所以切割出来的光学元件都具有很高的光学均匀性。由于KDP类晶体三倍频元件切割角度的独特性，用本发明长成的晶体切割三倍频元件时具有很高的切割效率，而且还可以通过长成的晶体水平尺寸的大小提前知晓能够切割出来的最大的三倍频元件的面积。

主权项

1.一种KDP类晶体长籽晶单锥生长方法，其特征在于，包括以下步骤：1)制作晶体生长所用的生长槽，所述的生长槽上部安装电机，该电机的转轴下端连接载晶架的连接杆；2)制作晶体生长所用的载晶架：所述的载晶架包括上横梁、下托盘、连接杆、支撑侧杆以及两个叶状搅拌桨，所述的连接杆固定在上横梁正中央，，所述的支撑侧杆下端固定在下托盘同一直径的两端，所述的支撑侧杆上端固定在上横梁的两端，所述的叶状搅拌桨为固定在支撑侧杆上的叶片状结构，所述的两个叶状搅拌桨和支撑侧杆以及上横梁在同一竖直平面上，所述的下托盘的上表面的正中央为长籽晶的固定位置，所有连接处均平滑相连以保证光滑；3)制作高度方向是[001]向的长籽晶：所述的长籽晶高度小于所述的载晶架的支撑侧杆高度，所述的长籽晶的水平长度和宽度范围为5～15mm；4)将所述的长籽晶下端面点上AB胶，安装在所述的载晶架下托盘的上表面的正中央；5)配制饱和点在40～70℃的晶体生长溶液；6)将安装有长籽晶的载晶架放入烘箱中预热4～12小时，预热温度为所述的生长溶液的饱和点温度；7)预热完成后，将安装有长籽晶的载晶架放入配制好的所述的生长溶液中，将所述的载晶架的连接杆连接在所述的电机转轴上，启动电机，设定转速的范围为10～50rpm，旋转模式采用正转25s‑减速2s‑停止1s‑反向加速2s‑反转25s‑减速2s‑停止1s‑正向加速2s的周期，其中s为秒；8)将所述的生长溶液加热至饱和点温度之上5～15℃做过热处理，使所述的长籽晶的四个侧面全部溶解但又不至于将所述的长籽晶溶断，然后降温，使所述的生长溶液的过饱和度始终在5～15％之间，则晶体就在所述的长籽晶上开始单锥生长，继而得到KDP类晶体。