[发明专利]半导体结构和图像传感器的形成方法在审
| 申请号： | 201910280856.1 | 申请日： | 2019-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN109962035A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 周成;孟宪宇;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法和一种图像传感器的形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区；在所述基底表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内具有暴露出第一区的第一开口以及暴露出第二区的第二开口；在所述第一掩膜层表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层填充满所述第二开口，且所述第二掩膜层暴露出所述第一开口；以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，在所述基底的第一区内形成初始第一沟槽；去除所述第二掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜，在所述基底的第一区内形成第一沟槽，在基底的第二区内形成第二沟槽，且所述第一沟槽的深度大于第二沟槽的深度。所述方法形成的半导体结构的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜层 基底 半导体结构 开口 图像传感器 第一区 掩膜 暴露 表面形成 基底表面 去除 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区；在所述基底表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内具有暴露出第一区的第一开口以及暴露出第二区的第二开口；在所述第一掩膜层表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层填充满所述第二开口，且所述第二掩膜层暴露出所述第一开口；以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，对所述基底进行刻蚀，在所述基底的第一区内形成初始第一沟槽；在形成所述初始第一沟槽之后，去除所述第二掩膜层；在去除所述第二掩膜层之后，以所述第一掩膜层为掩膜，对所述初始第一沟槽底部和基底的第二区进行刻蚀，在所述基底的第一区内形成第一沟槽，在基底的第二区内形成第二沟槽，且所述第一沟槽的深度大于第二沟槽的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
