[发明专利]以酞菁铁为原料的场效应晶体管的制备方法及应用有效
申请号: | 201910273549.0 | 申请日: | 2019-04-05 |
公开(公告)号: | CN110034232B | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 周宇;童艳红 | 申请(专利权)人: | 东北师范大学 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
代理公司: | 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 22100 | 代理人: | 王薇 |
地址: | 130024 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种以酞菁铁为原料的场效应晶体管的制备方法及应用,其特征在于:通过FePc的提纯;FePc的生长;FePc单晶场效应晶体管制备步骤完成器件性能优化;光学性能和柔性性能测试。其实现了对FePc材料提纯,得到高纯度的FePc,并对高纯度的FePc材料进行生长,得到高结晶度的FePc单晶纳米带并制备器件,对FePc单晶场效应器件进行光电性能和柔性性能测试,器件制备和测试过程在室温下空气中进行操作,简单方便;在不同的绝缘层上构建器件,不仅可以在刚性,而且可以在柔性衬底上制备场效应器件;器件具有光电性能同时具有柔性性能。 | ||
搜索关键词: | 酞菁铁 原料 场效应 晶体管 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.以酞菁铁为原料的场效应晶体管的制备方法,其特征在于包括酞菁铁FePc的提纯和生长,具体步骤如下:1) 酞菁铁FePc的提纯:首先将酞菁铁原料放入玻璃加热舟内后放入内管中,使酞菁铁原料放在加热带附近,之后用真空泵将管内压强抽至0.01Pa,最后通入高纯氮并控制管内高纯氮气体的压强和流速,即在300 oC条件下,流速控制在60sccm,压强为25Pa,每次提纯时间为4小时;在输运区会得到更高纯度的酞菁铁FePc,高纯度的酞菁铁FePc和杂质吸附在输运区的玻璃内管不同位置的内壁上,高纯度的酞菁铁FePc与杂质通过颜色深浅进行区分;待管内温度降温至80oC左右后关闭高纯氮、真空泵,对管内进行放气,待管内压强达到大气压强后,打开管式炉,取出加热舟重新添加酞菁铁原料,并进行下一次提纯;每次提纯8个循环即可将内壁中颜色最深的蓝黑色部分刮下得到更高纯度的酞菁铁FePc粉末;经8次提纯得到的更高纯度的酞菁铁FePc粉末回收后再进行二次提纯,二次提纯的过程与上述的提纯步骤相同即经8个循环后得提纯后的酞菁铁FePc粉末备用;2) 酞菁铁FePc的生长:(1)我们首先称量5‑8mg提纯过后的酞菁铁FePc粉末,平铺到石英加热舟中,尽量增大样品的受热面积,之后将石英加热舟放入衬管左侧,将衬管推入到加热管内,调整位置使得加热舟处于热电偶的位置,即高温区;之后取出衬管,在对应加热舟的另一侧将洗净干燥的Si片衬底依次整齐放入衬管内,Si片与Si片间隔保持1mm左右;(2)连接气阀,真空泵,用真空泵将管内压强抽至0.01Pa,打开高纯N2阀门和机械泵阀门通入载气高纯N2,通过调节流量计使气体流量为25 sccm,通过机械泵阀门使压强达到30Pa;(3)通过运行温控箱对透明管式炉设定的程序:加热30 min,使管内温度由室温升至285 ℃,之后保持285 ℃加热3 h,最后自然降温直至60 ℃左右即可;在整个生长过程中一直通入高纯N2,因为管内温度提高可能使管内气体压强流速略有浮动,我们可以手动进行调整,使气体流量和压强保持不变;(4)生长过程完成后,先关闭载气高纯N2,通气阀,再关闭真空泵,最后向绝热腔内放气,最后取出Si片和原料,并将Si片放在显微镜下,观察形貌并拍照记录;3) 酞菁铁FePc单晶场效应晶体管制备方法:首先我们选取一根酞菁铁FePc纳米线,通过机械探针将其转移到绝缘层衬底上,之后我们通过探针转移大小为100µm*180µm、厚度为100nm的Au膜,将金膜转移至酞菁铁FePc纳米带的两端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东北师范大学,未经东北师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910273549.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择