[发明专利]以酞菁铁为原料的场效应晶体管的制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 201910273549.0 申请日: 2019-04-05
公开(公告)号: CN110034232B 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 周宇;童艳红 申请(专利权)人: 东北师范大学
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40
代理公司: 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 22100 代理人: 王薇
地址: 130024 吉*** 国省代码: 吉林;22
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种以酞菁铁为原料的场效应晶体管的制备方法及应用,其特征在于:通过FePc的提纯;FePc的生长;FePc单晶场效应晶体管制备步骤完成器件性能优化;光学性能和柔性性能测试。其实现了对FePc材料提纯,得到高纯度的FePc,并对高纯度的FePc材料进行生长,得到高结晶度的FePc单晶纳米带并制备器件,对FePc单晶场效应器件进行光电性能和柔性性能测试,器件制备和测试过程在室温下空气中进行操作,简单方便;在不同的绝缘层上构建器件,不仅可以在刚性,而且可以在柔性衬底上制备场效应器件;器件具有光电性能同时具有柔性性能。
搜索关键词: 酞菁铁 原料 场效应 晶体管 制备 方法 应用
【主权项】:
1.以酞菁铁为原料的场效应晶体管的制备方法,其特征在于包括酞菁铁FePc的提纯和生长,具体步骤如下:1) 酞菁铁FePc的提纯:首先将酞菁铁原料放入玻璃加热舟内后放入内管中,使酞菁铁原料放在加热带附近,之后用真空泵将管内压强抽至0.01Pa,最后通入高纯氮并控制管内高纯氮气体的压强和流速,即在300 oC条件下,流速控制在60sccm,压强为25Pa,每次提纯时间为4小时;在输运区会得到更高纯度的酞菁铁FePc,高纯度的酞菁铁FePc和杂质吸附在输运区的玻璃内管不同位置的内壁上,高纯度的酞菁铁FePc与杂质通过颜色深浅进行区分;待管内温度降温至80oC左右后关闭高纯氮、真空泵,对管内进行放气,待管内压强达到大气压强后,打开管式炉,取出加热舟重新添加酞菁铁原料,并进行下一次提纯;每次提纯8个循环即可将内壁中颜色最深的蓝黑色部分刮下得到更高纯度的酞菁铁FePc粉末;经8次提纯得到的更高纯度的酞菁铁FePc粉末回收后再进行二次提纯,二次提纯的过程与上述的提纯步骤相同即经8个循环后得提纯后的酞菁铁FePc粉末备用;2) 酞菁铁FePc的生长:(1)我们首先称量5‑8mg提纯过后的酞菁铁FePc粉末,平铺到石英加热舟中,尽量增大样品的受热面积,之后将石英加热舟放入衬管左侧,将衬管推入到加热管内,调整位置使得加热舟处于热电偶的位置,即高温区;之后取出衬管,在对应加热舟的另一侧将洗净干燥的Si片衬底依次整齐放入衬管内,Si片与Si片间隔保持1mm左右;(2)连接气阀,真空泵,用真空泵将管内压强抽至0.01Pa,打开高纯N2阀门和机械泵阀门通入载气高纯N2,通过调节流量计使气体流量为25 sccm,通过机械泵阀门使压强达到30Pa;(3)通过运行温控箱对透明管式炉设定的程序:加热30 min,使管内温度由室温升至285 ℃,之后保持285 ℃加热3 h,最后自然降温直至60 ℃左右即可;在整个生长过程中一直通入高纯N2,因为管内温度提高可能使管内气体压强流速略有浮动,我们可以手动进行调整,使气体流量和压强保持不变;(4)生长过程完成后,先关闭载气高纯N2,通气阀,再关闭真空泵,最后向绝热腔内放气,最后取出Si片和原料,并将Si片放在显微镜下,观察形貌并拍照记录;3) 酞菁铁FePc单晶场效应晶体管制备方法:首先我们选取一根酞菁铁FePc纳米线,通过机械探针将其转移到绝缘层衬底上,之后我们通过探针转移大小为100µm*180µm、厚度为100nm的Au膜,将金膜转移至酞菁铁FePc纳米带的两端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东北师范大学,未经东北师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910273549.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 以羰基硫和氨气作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺-201910915529.9
  • 金向华;高如天;王新喜;孙猛 - 金宏气体股份有限公司
  • 2019-09-26 - 2022-12-09 - H01L51/05
  • 本发明公开了一种以羰基硫和氨气作为掺杂剂的有机场效应晶体管的制备工艺,包括如下步骤:(1)提供一衬底;(2)在衬底的绝缘层上制备修饰层;(3)在衬底的修饰层上制备P型有机半导体材料层;(4)以体积比为3‑5:1的羰基硫和氨气作为N型掺杂剂对衬底的P型有机半导体材料层掺杂形成N型半导体材料层;(5)在衬底的N型半导体材料层上制备源电极和漏电极。通COS使P型有机场效应晶体管材料转换成N型材料,大大拓宽了P型材料的范围,极大的丰富有机半导体的N型材料种类,通过在COS气氛中引入NH3气的方法实现了薄膜表面形貌的改变,极大的改变了源漏电极与P3HT薄膜的接触,从而实现了器件阈值电压的降低。
  • 一种多层交联介电层及其制备方法和应用-202211107718.1
  • 王海波;胡舒航 - 吉林大学
  • 2022-09-13 - 2022-12-06 - H01L51/05
  • 本发明公开了一种多层交联介电层及其制备方法和应用,属于有机光电器件及其柔性光电应用的领域,该多层交联介电层的每一层采用的是旋涂交联聚合物形成的交联介电层。该多层交联介电层在较薄的厚度下具有较高的电容,同时可以减小电极表面粗糙度,减小漏电流,从而制备具有高迁移率低阈值电压的有机场效应晶体管。本发明解决了目前有机场效应晶体管工作电压过高的问题,能够获得高电容、低泄露电流、低粗糙度的介电层,此种方法制备的介电层可以应用于柔性有机场效应晶体管中,进而可以实际应用在逻辑电路中。
  • 一种热电子晶体管的制备方法及用其制备的热电子晶体管、应用及应用的方法-202210895522.7
  • 周学华;白国梁;王春花;何文祥;耿同谋;汪谢;武琳 - 安庆师范大学
  • 2022-07-26 - 2022-12-02 - H01L51/05
  • 本发明公开一种热电子晶体管的制备方法及用其制备的热电子晶体管、应用及应用的方法,涉及有机电子学技术领域。该热电子晶体管主要由发射电极、金属氧化物绝缘层、基电极、有机半导体以及收集电极等五部分组成。其中,发射电极、金属氧化物绝缘层以及基电极所组成的隧道结是一种有效的载流子能量调节器。有益效果:本发明提供了一种新型的热电子晶体管,通过器件结构的设计、每一层材料的选择、制备工艺的优化,提高了热电子晶体管的载流子能量分辨率,通过测试获得的IC‑hot‑VEB曲线监控有机电子器件中载流子的输运过程,精准地提取了器件中金属与有机半导体形成的势垒。
  • 一种提升抗疲劳特性的并五苯有机场效应晶体管-202210997279.X
  • 于天鹏;殷江;夏奕东;刘治国 - 南京大学
  • 2022-08-19 - 2022-12-02 - H01L51/05
  • 一种提升抗疲劳特性的并五苯有机场效应晶体管,在并五苯有机场效应晶体管结构中设置有n‑型半导体层及具有浅能级陷阱的电荷俘获层;器件具有底栅型结构:栅电极/栅绝缘层/n‑型半导体薄膜/具有浅能级陷阱的电荷俘获介质层/隧穿层/并五苯/源(漏)电极;栅电极为导体,电阻率在0.1‑0.001Ω·㎝之间;栅绝缘层介质薄膜为绝缘体,厚度范围为5‑150nm;n‑型半导体薄膜层的厚度为1‑200nm;具有浅能级空穴陷阱的电荷俘获介质层,厚度为1‑100nm;隧穿层为绝缘体,厚度范围为1‑20nm;并五苯厚度范围为1‑100nm;源漏电极为导体,厚度范围为50‑200nm;栅电极为导体。
  • 以酞菁铁为原料的场效应晶体管的制备方法及应用-201910273549.0
  • 周宇;童艳红 - 东北师范大学
  • 2019-04-05 - 2022-12-02 - H01L51/05
  • 本发明涉及一种以酞菁铁为原料的场效应晶体管的制备方法及应用,其特征在于:通过FePc的提纯;FePc的生长;FePc单晶场效应晶体管制备步骤完成器件性能优化;光学性能和柔性性能测试。其实现了对FePc材料提纯,得到高纯度的FePc,并对高纯度的FePc材料进行生长,得到高结晶度的FePc单晶纳米带并制备器件,对FePc单晶场效应器件进行光电性能和柔性性能测试,器件制备和测试过程在室温下空气中进行操作,简单方便;在不同的绝缘层上构建器件,不仅可以在刚性,而且可以在柔性衬底上制备场效应器件;器件具有光电性能同时具有柔性性能。
  • 一种低功耗人工视网膜仿生器件及其制备方法-202211112665.2
  • 孟佳琳;王天宇;陈琳;孙清清;张卫 - 复旦大学
  • 2022-09-14 - 2022-11-29 - H01L51/05
  • 本发明公开一种低功耗人工视网膜仿生器件及其制备方法。该器件包括:硅基衬底;底电极,形成在所述硅基衬底上;多重由p型有机薄膜/n型氧化物半导体薄膜/顶层电极构成的叠层结构,其中,p型有机薄膜,形成在制备有所述底电极的硅基衬底上;n型氧化物半导体薄膜,形成在所述p型有机薄膜上;顶层电极,形成在所述n型氧化物半导体薄膜上;以紫外光源作为光激励信号,利用有机无机混合pn结的本征光响应实现光学信号的采集,同时利用pn结忆阻器的神经形态调控特性实现存算一体功能。
  • 一种基于三维突触的人工环路模体结构及其制备方法-202211118930.8
  • 徐文涛;刘甲奇 - 南开大学
  • 2022-09-13 - 2022-11-25 - H01L51/05
  • 本发明为一种基于三维突触的人工环路模体结构及其制备方法。该结构分为上、中、下三层;底层包括:衬底,衬底上分布有第二金属氧化物掺杂纳米线;L形的第一源极和第一漏极的竖边分列第二金属氧化物掺杂纳米线的两侧;中层为离子胶栅介质层,覆盖在底层上;上层包括L形顶部源级、第一金属氧化物掺杂纳米线、L形顶部漏级;其中,顶部第一金属氧化物掺杂纳米线的投影位置与底层的第二金属氧化物掺杂纳米线呈60~90°夹角;“L型”的第二源极和第二漏极相向而置。本发明可实现突触器件的多端三维调制以及与生物神经环路中相似的相互抑制模式,对未来神经修复以及大规模类脑集成运算存在重要意义。
  • 一种有机场效应晶体管及其制备方法-202010307798.X
  • 孟鸿;施宇豪;王新炜;艾琳 - 北京大学深圳研究生院
  • 2020-04-17 - 2022-11-22 - H01L51/05
  • 本发明公开一种有机场效应晶体管及其制备方法,其中包括步骤:提供栅极;沉积聚合物材料至所述栅极上,形成介电层;将沉积有介电层的栅极进行超临界流体处理;沉积有机半导体层材料在处理后的介电层上,形成有机半导体层;沉积电极层材料在有机半导体层上,形成电极层。本发明采用超临界流体处理后的介电层的介电性能得到了明显的提升。同时,采用处理过后介电层的OFET器件迟滞效应被基本消除,同时OFET亚阈值斜率也显著降低,且载流子迁移率有效提升。除此之外,处理后的OFET开关速度得到提升,通过串联发光二极管,可以提升发光二极管开关速率。
  • 一种基于有机微纳晶体的有机场效应晶体管存储器及其制备方法-202211054393.5
  • 李焕群;周鹤;张国新;王睿;周楠;郭栋;钱震;杨峰 - 中通服咨询设计研究院有限公司
  • 2022-08-30 - 2022-11-18 - H01L51/05
  • 本发明公开了一种基于有机微纳晶体的有机场效应晶体管存储器及其制备方法,包括自下而上依次布置的衬底、栅电极、栅绝缘层、聚合物修饰层、有机微纳晶体薄膜层、有机半导体层和源漏电极;所述的有机微纳晶体薄膜层中的有机微纳晶体是基于有机芴基小分子的形貌、尺寸均一且具有薄膜兼容性的二维微纳晶体;所述的有机芴基小分子的分子构型为在芴基结构上修饰两个二甲基。本发明基于有机微纳晶体的有机场效应晶体管存储器从材料入手,在此基础上对薄膜形貌进行调控,实现简易制备和环境友好的绿色溶液加工,提升器件的存储性能,所制备的有机小分子微纳晶体层能够改善器件的存储性能,并具有高存储密度和高数据稳定性等特点。
  • 一种感存算一体的柔性有机忆阻器及其制备方法-202011155918.5
  • 张卫;孟佳琳;王天宇;何振宇;陈琳;孙清清 - 复旦大学
  • 2020-10-26 - 2022-11-15 - H01L51/05
  • 本发明公开一种感存算一体的柔性有机忆阻器及其制备方法。该感存算一体的柔性有机忆阻器包括:柔性衬底(100);底层电极(101),其以一定间隔分布在柔性衬底(100)上;有机功能层(102),其形成底层电极(101)上,具有紫外光响应,并且可以在紫外光脉冲的激励下进行电荷的存储与擦除,撤去光脉冲后的电流状态与施加光脉冲前的初始电流状态不同,且能保持较长的时间;顶层电极(103),其以一定间隔分布在有机功能层(102)上,且其延伸方向与底层电极(101)的延伸方向垂直;当利用紫外光脉冲源对所形成的感存算一体的柔性有机忆阻器进行照射时,忆阻器可感应到光信号并产生电流信号,相应的电流信号可被忆阻器存储记忆并用于多态神经计算,从而实现感存算一体化。
  • 一种高耐久性柔性神经形态器件及其制备方法-202210930716.6
  • 王天宇;孟佳琳;陈琳;孙清清;张卫 - 复旦大学
  • 2022-08-04 - 2022-11-01 - H01L51/05
  • 本发明公开一种高耐久性柔性神经形态器件及其制备方法。该高耐久性柔性神经形态器件包括:栅极织物,源极织物和漏极织物,其中,所述源极织物和所述漏极织物相互扭转缠绕,且所述栅极织物以螺旋方式缠绕在所述相互扭转缠绕的源极织物和漏极织物上,所述栅极织物包括:栅电极,其为金属织物;栅介质层,其为有机铁电聚合物薄膜,包覆在所述栅电极上;绝缘过渡层,其为有机绝缘聚合物薄膜,包覆在所述栅介质层上;所述源极织物/所述漏极织物包括:基底,其为金属织物;源极/漏极,其为有机导电聚合物薄膜,包覆在所述基底上;沟道层,其为有机半导体薄膜,包覆在所述有机导电聚合物薄膜。
  • 一种与光刻电极相兼容的本征可拉伸有机场效应晶体管及其制备方法-202011167204.6
  • 汤庆鑫;童艳红;赵晓丽;任航;张珺默 - 东北师范大学
  • 2020-10-26 - 2022-11-01 - H01L51/05
  • 本发明公开了与光刻电极相兼容的本征可拉伸有机场效应晶体管及其制备方法。该制备方法,包括如下步骤:在衬底表面上连接十八烷基三氯硅烷;在修饰过的衬底上光刻制备图案化的可拉伸的栅电极和源/漏电极,然后分别旋涂液态弹性体材料,经固化得到内嵌于弹性体中的栅电极层和源/漏电极;在修饰过的衬底上依次旋涂可拉伸的聚合物半导体和液态弹性绝缘材料,经固化得到半导体/绝缘层复合层;栅电极层剥离并贴合到可拉伸半导体/绝缘层复合层上;源/漏电极层从衬底上剥离并贴合到栅电极/半导体/绝缘层复合层上合为整体,即可得到与光刻电极相兼容的本征可拉伸有机场效应晶体管;本发明制备方法可在室温环境下操作,工艺简单迅速易于重复,适合批量化生产。
  • 一种聚合物半导体薄膜制备方法及应用-201910433283.1
  • 周瑜;汤庆鑫;童艳红 - 东北师范大学
  • 2019-05-23 - 2022-11-01 - H01L51/05
  • 本发明涉及一种聚合物半导体薄膜制备方法及应用,是基于衬底的叠片滴注法制备聚合物半导体薄膜,其特征在于:表面连接有羟基的上层衬底和OTS修饰的上层衬底,设计了一种叠片滴注结构,通过在该结构下的滴注成膜,实现大面积高性能聚合物半导体薄膜的制备,在衬底上生长聚合物半导体薄膜,一方面解决了传统滴注法中咖啡环效应带来的薄膜不均一问题。另一方面无需外力即可实现薄膜生长过程中的定向引导,有利于有机薄膜的定向性生长,特别利于高质量聚合物一类的薄膜制备,操作简单方便,实验要求低,无需大型仪器设备。
  • 一种双极性提升的聚合物有机薄膜晶体管及制备方法-202110647235.X
  • 李文武;陆定一;黄凡铭;姬韵博;褚君浩 - 华东师范大学
  • 2021-06-10 - 2022-10-04 - H01L51/05
  • 本发明公开了一种双极性提升的聚合物有机薄膜晶体管及制备方法,所述聚合物有机薄膜晶体管具有顶栅底接触结构。其制备方法:首先在玻璃衬底上通过掩膜版制备一层金作为源极和漏极,再在金电极上利用溶胶凝胶法制备一层有机盐掺杂后的聚合物有机半导体有源层,并在有源层上旋涂一层介电材料作为绝缘层,最后通过掩膜版在绝缘层表面制备铝形成栅电极。该方法所制备的聚合物有机薄膜晶体管相较于传统聚合物有机薄膜晶体管,其弱极性沟道区的开关比、迁移率得到了明显的提升。本发明提升了顶栅底接触结构的聚合物有机薄膜晶体管的双极性性能,具有成本低廉、工艺步骤简单的特点,也为未来互补型集成电路的研究和应用奠定了基础。
  • 薄膜晶体管-202210152783.X
  • 林俊亨;鲁容泳;具素英;金亨俊;朱慧慧 - 三星显示有限公司;浦项工科大学校产学协力团
  • 2022-02-18 - 2022-09-30 - H01L51/05
  • 一种薄膜晶体管,包括:栅极电极;绝缘层,设置在所述栅极电极上;以及有源层,设置在所述绝缘层上,其中,所述有源层包括由下式表示的钙钛矿化合物:AB(1‑u)C(u)[X(1‑v)Y(v)]3,其中,A是一价有机阳离子、一价无机阳离子或它们的任何组合,B是Sn2+,C是二价阳离子或三价阳离子,X是一价阴离子,Y是不同于X的一价阴离子,u是大于0且小于1的实数,并且v是大于0且小于1的实数。
  • 具有量子干涉效应的化合物及包含其的垂直单分子场效应晶体管集成器件的制备方法-202011410895.8
  • 郭雪峰;李佩慧;贾传成;刘茗锦 - 南开大学
  • 2020-12-06 - 2022-09-30 - H01L51/05
  • 具有量子干涉效应的化合物及包含其的垂直单分子场效应晶体管集成器件的制备方法,属于新材料以及分子场效应晶体管领域,利用二维材料特色及优势,引入六方氮化硼(h‑BN)绝缘层对电极间距进行原子级别厚度的精准控制,引入MoS2模板层对金电极平整度进行改善,使得器件达到原子级平整并且原子层厚度可控。特别涉及具有量子干涉效应的化合物A或B。其中,式A化合物的一侧通过Au‑S键,式B化合物通过Au‑C键组装在超平金属电极条带上表面,并位于h‑BN绝缘支撑纳米孔阵列中,另一侧通过范德华作用力与石墨烯漏端电极条带相接触,形成在室温下可以稳定工作的固态栅极调控的并且具有超平金电极的垂直单分子异质结集成器件。
  • 一种基于二维范德华异质结构的单分子场效应晶体管及其制备方法-202011410961.1
  • 郭雪峰;李佩慧;贾传成;常新月 - 南开大学
  • 2020-12-06 - 2022-09-30 - H01L51/05
  • 一种基于二维范德华异质结构的单分子场效应晶体管及其制备方法,属于新材料以及分子场效应晶体管领域。由导电二维材料栅电极层、绝缘二维材料介质层、基于石墨烯点电极的单分子异质结以及保护层构成,制备方法包括1)二维叠层组装;2)作为器件各组成部分的二维材料具有原子级可控平整度和厚度;3)范德华异质结构的稳定性;4)与石墨烯基单分子异质结的结合。本发明通过不同二维材料的范德华堆叠组装,形成范德华异质结构。使得器件的介质层和栅极达到原子级平整并且原子层可控,实现单分子场效应晶体器件的精准控制制备,而使用六方氮化硼或氮化镓作为保护层对器件进行封装,大大减小了外界环境对器件的干扰,提高了器件的稳定性。
  • 基于隧穿效应的大电流有机场效应晶体管及其制备方法-202210788732.6
  • 余航;罗俊;邢宗锋;吴兆希;谭骁洪 - 中国电子科技集团公司第二十四研究所
  • 2022-07-06 - 2022-09-27 - H01L51/05
  • 本发明涉及一种基于隧穿效应的大电流有机场效应晶体管,包括栅极,所述栅极上设置有绝缘层,所述绝缘层上设置有有源层,所述有源层上分别设置有源极和漏极;其特征在于,在所述源极与有源层之间设置有第一修饰层,所述第一修饰层用于在源极和有源层之间形成隧穿效应;在所述漏极与有源层之间设置有第二修饰层,所述第二修饰层用于在漏极和有源层之间形成隧穿效应。本实施例基于量子力学的隧穿效应,通过在有源层和源极、漏极之间增加了一层修饰层使有源层和源极、漏极之间产生隧穿效应,从而增大了有机场效应晶体管的输出电流,使有机场效应晶体管的驱动能力得到较大提高。
  • 一种光电双调制的有机柔性神经突触器件及其制备方法-202210902926.4
  • 陈琳;李庆轩;王天宇;孟佳琳;孙清清;张卫 - 复旦大学
  • 2022-07-29 - 2022-09-23 - H01L51/05
  • 本发明公开一种光电双调制的有机柔性神经突触器件及其制备方法。该光电双调制的有机柔性神经突触器件包括:具有ITO导电层的柔性衬底;P(VDF‑TrFE)铁电介质层,形成在所述ITO导电层上;C8‑BTBT有机半导体层,形成在所述P(VDF‑TrFE)铁电介质层;顶部金属电极,形成在所述C8‑BTBT有机半导体层上,通过电调制控制P(VDF‑TrFE)铁电介质层的铁电极化程度从而改变源漏电流实现突触特性,通过光调制改变C8‑BTBT有机半导体层光生载流子的数量来改变源漏电流实现突触特性。
  • 一种基于聚噻吩的电池型电化学突触晶体管及其制备方法-202110682099.8
  • 林宗琼;张晓;翁洁娜;郑昊;杨波;傅莉;黄维 - 西北工业大学
  • 2021-06-19 - 2022-09-16 - H01L51/05
  • 本发明涉及一种基于聚噻吩的电池型电化学突触晶体管及其制备方法,属于有机半导体材料及器件技术领域。所述电池型电化学晶体管是以电化学晶体管及其双电层效应为基础,结合双离子电池的可逆氧化还原机理,以神经生物学中经典的Hodgkin‑Huxley模型为指导,在传统P型电化学晶体管基础上引入了N型聚合物半导体层,从而极大地稳定了P型聚合物中阴离子的掺杂浓度,同时也成功解决了由于载流子复合带来的导电态不稳定等诸多问题。该电池型器件在实现了稳定的阴/阳离子存储界面构筑的同时,阳离子存储层/电解质层/阴离子存储层分别对生物突触的三部分——突触前神经元/突触间隙/突触后神经元实现了深度模拟。
  • 一种量子点增强的柔性低功耗神经突触器件及其制备方法-202210692659.2
  • 王天宇;孟佳琳;陈琳;孙清清;张卫 - 复旦大学
  • 2022-06-17 - 2022-09-06 - H01L51/05
  • 本发明公开一种量子点增强的柔性低功耗神经突触器件及其制备方法。该量子点增强的柔性低功耗神经突触器件包括:柔性衬底;底电极,形成在所述柔性衬底上;二维半导体量子点层,形成在所述底电极上;有机铁电层,形成在所述二维半导体量子点层上;二维半导体量子点层,形成在所述有机铁电层上;顶电极,形成在所述二维半导体量子点层上;利用电学脉冲作为输入信号源在顶电极施加激励,实现量子点局域电场下调控的有机铁电层极化翻转,获得低功耗的长时程增强和抑制特性。
  • 基于二维和三维钙钛矿复合结构的突触晶体管及其制备方法-202010487655.1
  • 陈大正;张春福;田百川;庞商政;朱卫东;樊刚;张进成;郝跃 - 西安电子科技大学
  • 2020-06-02 - 2022-09-06 - H01L51/05
  • 本发明公开了一种基于二维和三维钙钛矿复合结构突触晶体管及其制作方法,主要解决现有二端钙钛矿突触器件模拟突触行为不准确的问题,其自下而上,包括玻璃衬底(1)、透明氧化物栅电极(2)、钙钛矿区(3)、源电极(4)、漏电极(5)和封装保护层(6)。该离子介质层采用三维钙钛矿材料,导电沟道层采用二维钙钛矿材料;利用三维钙钛矿材料中离子迁移形成的电场以调制二维钙钛矿材料中的载流子输运;器件栅极模拟突触前膜作输入端;器件源漏模拟突触后膜以读取突触后电流,本发明能同时调节载流子输运和栅控两个过程,实现对源漏电流的调控,提升突触晶体管对突触行为模拟的准确性,可用于模拟人类神经突触,构建神经网络系统。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top