[发明专利]具有强极化耦合的半导体器件在审
| 申请号： | 201910265144.2 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN110391288A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | J.A.基特尔;B.J.奥布拉多维克;R.M.哈彻;T.拉克什特 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括沟道、栅极以及在沟道和栅极之间的多层栅极绝缘体结构。所述多层栅极绝缘体结构包括至少一个铁电层和至少一个介电层。所述至少一个铁电层和所述至少一个介电层共享至少一个界面并具有强极化耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 栅极绝缘体 极化耦合 介电层 铁电层 多层 沟道 共享 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：沟道；多层栅极绝缘体结构，包括至少一个铁电层和至少一个介电层，所述至少一个铁电层和所述至少一个介电层共享至少一个界面并具有强极化耦合；以及栅极，所述多层栅极绝缘体结构位于所述栅极和所述沟道之间。
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