[发明专利]一种免刻蚀的电阻式深低温温度传感器的制备方法在审
| 申请号： | 201910260363.1 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN110055499A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 刘景全;尤敏敏 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/58;G01K7/16 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 徐红银;赵楠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种免刻蚀的电阻式深低温温度传感器的制备方法，所述方法包括在绝缘基底上通过反应溅射制备温度敏感膜，之后直接在所述温度敏感膜上制备电极，最后分离得到独立器件。本发明在有效降低敏感膜电阻的前提下，去除了干法刻蚀工艺步骤，降低了刻蚀对温度敏感薄膜损伤，降低工艺成本，提高深低温温度传感器制备的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 温度传感器 深低温 刻蚀 温度敏感膜 电阻式 干法刻蚀工艺 薄膜损伤 独立器件 反应溅射 工艺成本 温度敏感 电极 成品率 敏感膜 电阻 基底 绝缘 | ||
【主权项】：
1.一种免刻蚀的电阻式深低温温度传感器的制备方法，其特征在于：包括去除传统工艺过程中干法刻蚀图形化敏感膜工艺，在绝缘基底上溅射温度敏感膜之后，直接在温度敏感膜上制备电极，最后分离得到独立器件。
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