[发明专利]存储器电路及操作存储器电路的方法有效
| 申请号： | 201910259401.1 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN110390990B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 黄黎进勇 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器电路，存储器电路包括存储器单元、第一写入驱动器、第二写入驱动器及感测放大器。存储器单元、第一写入驱动器及第二写入驱动器耦接于局部位线。存储器电路的操作方法包括在存储器单元的写入操作中提供写入电压至存储器单元，致能第一写入驱动器以将局部位线拉低至低电压，致能第二写入驱动器，失能第一写入驱动器及致能感测放大器以判断存储器单元是否已被写入。第二写入驱动器的驱动能力小于第一写入驱动器的驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 电路 操作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器电路，其特征在于，包括：第一存储器单元，耦接于第一局部位线，包括反熔丝晶体管，所述反熔丝晶体管用以在所述第一存储器单元的写入操作中接收写入电压；第一写入驱动器，耦接于所述第一局部位线，用以在所述第一存储器单元的所述写入操作中被致能时，拉低所述第一局部位线至低电压；第二写入驱动器，耦接于所述第一局部位线，用以在所述第一存储器单元的所述写入操作中被致能时，拉低所述第一局部位线至接近所述低电压，其中所述第二写入驱动器的驱动能力小于所述第一写入驱动器的驱动能力；感测放大器，耦接于所述第一局部位线，用以在所述第一存储器单元的所述写入操作中被致能时，比较所述第一局部位在线的位线电压及验证参考电压以判断所述第一存储器单元是否已被写入，其中所述位线电压是由所述第一存储器单元产生的电流所致；及写入控制电路，耦接于所述第一写入驱动器，所述第二写入驱动器及所述感测放大器，用以：在所述写入操作中，致能所述第一写入驱动器及所述第二写入驱动器；在致能所述第一写入驱动器预定时间后，使所述第一写入驱动器失能；及在所述写入操作中，于所述第一写入驱动器失能后，致能所述感测放大器。
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