[发明专利]存储器电路及操作存储器电路的方法有效
申请号: | 201910259401.1 | 申请日: | 2019-04-02 |
公开(公告)号: | CN110390990B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 黄黎进勇 | 申请(专利权)人: | 力旺电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C17/16 | 分类号: | G11C17/16;G11C17/18 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 电路 操作 方法 | ||
1.一种存储器电路,其特征在于,包括:
第一存储器单元,耦接于第一局部位线,包括反熔丝晶体管,所述反熔丝晶体管用以在所述第一存储器单元的写入操作中接收写入电压;
第一写入驱动器,耦接于所述第一局部位线,用以在所述第一存储器单元的所述写入操作中被致能时,拉低所述第一局部位线至低电压;
第二写入驱动器,耦接于所述第一局部位线,用以在所述第一存储器单元的所述写入操作中被致能时,拉低所述第一局部位线至接近所述低电压,其中所述第二写入驱动器的驱动能力小于所述第一写入驱动器的驱动能力;
感测放大器,耦接于所述第一局部位线,用以在所述第一存储器单元的所述写入操作中被致能时,比较所述第一局部位在线的位线电压及验证参考电压以判断所述第一存储器单元是否已被写入,其中所述位线电压是由所述第一存储器单元产生的电流所致;及
写入控制电路,耦接于所述第一写入驱动器,所述第二写入驱动器及所述感测放大器,用以:
在所述写入操作中,致能所述第一写入驱动器及所述第二写入驱动器;
在致能所述第一写入驱动器预定时间后,使所述第一写入驱动器失能;及
在所述写入操作中,于所述第一写入驱动器失能后,致能所述感测放大器。
2.如权利要求1所述的存储器电路,其特征在于所述写入控制电路另用以在所述感测放大器判断所述第一存储器单元已被写入时,失能所述第一写入驱动器及所述第二写入驱动器以结束所述写入操作。
3.如权利要求2所述的存储器电路,其特征在于所述写入控制电路另用以在所述感测放大器判断所述第一存储器单元已被写入时,使提供所述写入电压的电荷泵失能。
4.如权利要求1所述的存储器电路,其特征在于所述写入控制电路另用以在所述感测放大器判断所述第一存储器单元尚未被写入时,再次致能所述第一写入驱动器。
5.如权利要求1所述的存储器电路,其特征在于所述第一写入驱动器包括:
第一与非门,具有用以接收第一致能信号的第一输入端,第二输入端,及输出端;
第一逆变器,具有用以接收写入验证信号的输入端,及耦接于所述第一与非门的所述第二输入端的输出端;
第二与非门,具有用以接收写入控制信号的第一输入端,耦接于所述第一与非门的所述输出端的第二输入端,及输出端;
第二逆变器,具有用以接收所述写入控制信号的输入端,及输出端;
或非门,具有耦接于所述第一与非门的所述输出端的第一输入端,耦接于所述第二逆变器的所述输出端的第二输入端,及输出端;
P型晶体管,具有用以接收第一系统电压的第一端,耦接于所述第一局部位线的第二端,及耦接于所述第二与非门的所述输出端的控制端;及
N型晶体管,具有耦接于所述P型晶体管的所述第二端的第一端,用以接收一第二系统电压的第二端,及耦接于所述或非门的所述输出端的控制端;
其中所述第二系统电压小于所述第一系统电压。
6.如权利要求5所述的存储器电路,其特征在于:
所述第一致能信号及所述写入验证信号是由所述写入控制电路产生;
所述第一致能信号是在低操作电压及高操作电压之间切换的频率信号;及
在所述第一存储器单元的所述写入操作中,当所述第一致能信号由所述低操作电压变为所述高操作电压时,所述写入验证信号具有高压脉冲。
7.如权利要求6所述的存储器电路,其特征在于:
所述写入控制电路另用以产生感测脉冲信号以致能所述感测放大器;及
所述感测脉冲信号是在所述写入验证信号的所述高压脉冲的上升缘之后产生,并在所述高压脉冲的下降缘之前结束。
8.如权利要求1所述的存储器电路,其特征在于所述第二写入驱动器包括电流源。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力旺电子股份有限公司,未经力旺电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910259401.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。