[发明专利]存储器电路及操作存储器电路的方法

说明书

本发明公开了一种存储器电路，存储器电路包括存储器单元、第一写入驱动器、第二写入驱动器及感测放大器。存储器单元、第一写入驱动器及第二写入驱动器耦接于局部位线。存储器电路的操作方法包括在存储器单元的写入操作中提供写入电压至存储器单元，致能第一写入驱动器以将局部位线拉低至低电压，致能第二写入驱动器，失能第一写入驱动器及致能感测放大器以判断存储器单元是否已被写入。第二写入驱动器的驱动能力小于第一写入驱动器的驱动能力。

技术领域

本发明是有关于一种存储器单元，特别是一种能够在写入操作中进行验证的存储器单元。

背景技术

有些非挥发性存储器是透过高电压将存储器单元的栅极结构硬击穿(hardbreakdown)来完成写入操作，并利用存储器单元上的物理结构改变来储存数据。栅极结构被硬击穿的存储器单元会具有较低的阻抗，因此在读取操作中可产生通过栅极的电流，因此透过侦测栅极电流的强度就可以辨识存储器单元中储存的数据。

然而，由于存储器单元在制造过程中会产生无法避免的特性变异，因此写入操作可能无法在第一次就成功。也就是说，虽然大部分的存储器单元会在短时间内受到高压而被硬击穿，然而有些存储器单元则需要更长的时间或更强的能量才会被硬击穿。

在现有技术中，为了确保存储器单元已被写入了数据，会在每一次执行完写入操作之后接着执行读取操作来检查存储器单元是否已被写入了欲写入的资料。如果检查结果显示写入失败，则存储器单元就会被再次写入。然而，重复的写入操作可能会造成存储器单元退化，使得存储器单元中的数据难以被正确读取。此外，由于写入操作及读取操作需要不同的电压，因此为了交替执行写入操作及读取操作，就必须在不同的电压供应源之间切换，如此也将造成时间及电能的浪费。

发明内容

本发明的一实施例提供一种存储器电路。存储器电路包括存储器单元、第一写入驱动器、第二写入驱动器、感测放大器及写入控制电路。

存储器单元耦接于局部位线，并包括反熔丝晶体管。反熔丝晶体管在存储器单元的写入操作中接收写入电压。第一写入驱动器耦接于第一局部位线，并在存储器单元的写入操作中被致能时，拉低第一局部位线至低电压。第二写入驱动器耦接于局部位线，并在存储器单元的写入操作中被致能时，拉低局部位线至接近低电压。第二写入驱动器的驱动能力小于第一写入驱动器的驱动能力。

感测放大器耦接于局部位线，并在存储器单元的写入操作中被致能时，比较局部位在线的位线电压及验证参考电压以判断存储器单元是否已被写入。位线电压是由存储器单元产生的电流所致。写入控制电路耦接于第一写入驱动器，第二写入驱动器及感测放大器。写入控制电路在写入操作中，致能第一写入驱动器及第二写入驱动器，在致能第一写入驱动器预定时间后，使第一写入驱动器失能，并在写入操作中，于第一写入驱动器失能后，致能感测放大器。

本发明的另一实施例提供一种操作存储器电路的方法。存储器电路包括存储器单元、第一写入驱动器、第二写入驱动器及感测放大器，且存储器单元、第一写入驱动器及第二写入驱动器耦接于局部位线。

操作存储器电路的方法包括在存储器单元的写入操作中，提供写入电压至存储器单元，致能第一写入驱动器以将局部位线拉低至低电压，致能第二写入驱动器，失能第一写入驱动器，及致能感测放大器以判断存储器单元是否已被写入。第二写入驱动器的驱动能力小于第一写入驱动器的驱动能力。

附图说明

图1是本发明一实施例的存储器电路的示意图。

图2是图1的存储器电路所接收到的信号波形图。

图3是本发明一实施例的操作存储器电路的方法流程图。

其中，附图标记说明如下：

100 存储器电路