[发明专利]一种双模式检错内存及双模式检错方法在审

专利信息
申请号: 201910256476.4 申请日: 2019-04-01
公开(公告)号: CN109903806A 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 吴恒毅;李庭育;洪振洲;陈育鸣 申请(专利权)人: 江苏华存电子科技有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G06F11/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 226300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种双模式检错内存,包括指令处理模块,存储模块,控制信号模块,编码模块及译码模块,其中指令处理模块内部设有纠错码切换标志,所述纠错码切换标志具有0和1两种状态,0表示选择奇偶校验码,1表示选择扩展汉明码:控制信号模块根据指令处理模块发送的控制信号,控制存储模块进行存储或读取操作,同时反馈完成信号给指令处理模块;编码模块对指令处理模块输入的逻辑字编码,译码模块从存储模块中读取物理字进行查错或纠错生成纠错码。本发明同时引入奇偶校验和扩展汉明码,采用纠错码切换标志来实现两种模式的切换,满足使用需求同时提升纠错率,避免设备频繁重启。
搜索关键词: 指令处理模块 纠错码 双模式 检错 控制信号模块 编码模块 存储模块 译码模块 汉明码 内存 读取 控制存储模块 奇偶校验码 读取操作 控制信号 奇偶校验 完成信号 纠错率 字编码 纠错 重启 存储 发送 反馈 引入
【主权项】:
1.一种双模式检错内存,其特征在于包括:一指令处理模块,与外部电路进行通信,接收外部电路发送过来的新指令,其内部设有纠错码切换标志switch_flag,所述纠错码切换标志具有0和1两种状态,0表示选择奇偶校验码,1表示选择扩展汉明码:一存储模块,存储有物理字;一控制信号模块,分别与指令处理模块及存储模块连接,根据指令处理模块发送的控制信号,控制存储模块进行存储或读取操作,同时反馈完成信号给指令处理模块;一编码模块,分别与指令处理模块及存储模块连接,对指令处理模块输入的逻辑字编码,生成对应的纠错码与逻辑字组成物理字送入存储模块;一译码模块,分别与指令处理模块及存储模块连接,从存储模块中读取物理字进行查错或纠错生成纠错码,将解码后的逻辑字和纠错码传送给指令处理模块。
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