[发明专利]一种双模式检错内存及双模式检错方法在审

专利信息
申请号: 201910256476.4 申请日: 2019-04-01
公开(公告)号: CN109903806A 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 吴恒毅;李庭育;洪振洲;陈育鸣 申请(专利权)人: 江苏华存电子科技有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G06F11/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 226300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 指令处理模块 纠错码 双模式 检错 控制信号模块 编码模块 存储模块 译码模块 汉明码 内存 读取 控制存储模块 奇偶校验码 读取操作 控制信号 奇偶校验 完成信号 纠错率 字编码 纠错 重启 存储 发送 反馈 引入
【权利要求书】:

1.一种双模式检错内存,其特征在于包括:

一指令处理模块,与外部电路进行通信,接收外部电路发送过来的新指令,其内部设有纠错码切换标志switch_flag,所述纠错码切换标志具有0和1两种状态,0表示选择奇偶校验码,1表示选择扩展汉明码:

一存储模块,存储有物理字;

一控制信号模块,分别与指令处理模块及存储模块连接,根据指令处理模块发送的控制信号,控制存储模块进行存储或读取操作,同时反馈完成信号给指令处理模块;

一编码模块,分别与指令处理模块及存储模块连接,对指令处理模块输入的逻辑字编码,生成对应的纠错码与逻辑字组成物理字送入存储模块;

一译码模块,分别与指令处理模块及存储模块连接,从存储模块中读取物理字进行查错或纠错生成纠错码,将解码后的逻辑字和纠错码传送给指令处理模块。

2.根据权利要求1所述的双模式检错内存,其特征在于:所述物理字包括逻辑字和纠错码。

3.根据权利要求1所述的双模式检错内存,其特征在于:所述纠错码为奇偶校验位和扩展汉明码。

4.一种双模式检错方法,基于权利要求1所述双模式内存实现,其特征在于包括如下内容:

a、指令处理模块中检测纠错码切换标志switch_flag的值,若纠错码切换标志为0,采用奇偶校验码作为纠错码,指令处理模块进行正常读写操作,运行步骤b,若纠错码切换标志为1,采用扩展汉明码作为纠错码,指令处理模块进行读写操作,运行步骤g;

b、若指令处理模块接收到写指令,将写指令中的控制信号发送给控制信号模块控制存储模块,而写指令中的逻辑字送入编码模块中;

c、编码模块对逻辑字进行编码生成对应的奇偶校验位,然后将原始逻辑字和对应的奇偶校验位组合成物理字写入存储模块;

d、若指令处理模块接收到读指令,将读指令中的控制信号送给控制信号模块控制存储模块,同时译码模块读取存储模块中相应的物理字;

e、译码模块对读取的物理字进行译码,输出检错结果及数据字给指令处理模块;

f、指令处理模块根据检错结果判断是否存在错误,若不存在错误就将读取的数据字送出,若存在错误,则将纠错码标志位switch_flag设为1,返回步骤a;

g、若指令处理模块接收到写指令,将写指令中的控制信号发送给控制信号模块控制存储模块,而写指令中的逻辑字送入编码模块中;

h、编码模块对逻辑字进行编码生成对应的奇偶校验位,然后将原始逻辑字和对应的奇偶校验位组合成物理字写入存储模块;

i、若指令处理模块接收到读指令,将读指令中的控制信号送给控制信号模块控制存储模块,同时译码模块读取存储模块中相应的物理字;

j、译码模块对读取的物理字进行译码,同时利用扩展汉明码进行纠错,输出检错结果及纠错后的数据字给指令处理模块;

k、指令处理模块将读取的数据字送出,返回步骤a。

5.根据权利要求4所述的双模式检错方法,其特征在于:所述步骤b、g中控制信号包括写信号及地址信号,而步骤d、i中控制信号包括读信号及地址信号。

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