[发明专利]用于在超临界流体中生长材料的装置和材料的生长方法在审
| 申请号： | 201910250202.4 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109750356A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 乔焜;郑革;高明哲;吴小平 | 申请（专利权）人： | 上海玺唐半导体科技有限公司;四川航空工业川西机器有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B7/10 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 201613 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于在超临界流体中生长材料的装置和材料的生长方法。用于在超临界流体中生长材料的装置包括第一容器、第二容器和加热部件，所述第二容器被容纳于所述第一容器的内腔，所述加热部件设置于所述第一容器的内腔并用于给所述第二容器加热，待生长的材料能够被设置在所述第二容器内生长，所述第一容器和所述第二容器均能够填充用于传递压力的介质，使所述第一容器内的压强与所述第二容器内的压强的差值小于所述第二容器内的压强与标准大气压的差值。根据本发明的装置的制作成本低且能使生长的材料达到较大的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 第二容器 第一容器 压强 超临界流体 生长材料 生长 加热部件 内腔 标准大气压 加热 填充 容纳 传递 制作 | ||
【主权项】：
1.一种用于在超临界流体中生长材料的装置，其特征在于，包括第一容器(10)、第二容器(20)和加热部件(H)，所述第一容器(10)的内腔容纳有一个或多个所述第二容器(20)，所述加热部件(H)设置于所述第一容器(10)的内腔并用于给所述第二容器(20)加热，待生长的材料能够被设置在所述第二容器(20)内生长，所述第一容器(10)和所述第二容器(20)均能够填充用于传递压力的介质，在所述材料的生长过程中，使所述第一容器(10)内的压强与所述第二容器(20)内的压强的差值小于所述第二容器(20)内的压强与标准大气压的差值。
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