[发明专利]3D存储器件及其制造方法

摘要

本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括：半导体衬底；栅叠层结构，位于半导体衬底上，包括交替堆叠的多个栅极导体层与多个层间绝缘层；多个沟道柱，贯穿栅叠层结构，并与半导体衬底接触；掺杂区，位于半导体衬底内；通道孔，贯穿栅叠层结构，并暴露掺杂区；第一导电层，覆盖通道孔的内壁并与掺杂区接触；芯部，位于通道孔内以及掺杂区的上方，芯部的侧壁与第一导电层接触；导电柱，位于通道孔内以及芯部的上方；以及第二导电层，至少覆盖导电柱的侧壁，其中，第二导电层由单一导电材料形成，并直接与第一导电层接触以与掺杂区电连接。

主权项

1.一种3D存储器件，包括：半导体衬底；栅叠层结构，位于所述半导体衬底上，包括交替堆叠的多个栅极导体层与多个层间绝缘层；多个沟道柱，贯穿所述栅叠层结构，并与所述半导体衬底接触；掺杂区，位于所述半导体衬底内；通道孔，贯穿所述栅叠层结构，并暴露所述掺杂区；第一导电层，覆盖所述通道孔的内壁并与所述掺杂区接触；芯部，位于所述通道孔内以及所述掺杂区的上方，所述芯部的侧壁与所述第一导电层接触；导电柱，位于所述通道孔内以及所述芯部的上方；以及第二导电层，至少覆盖所述导电柱的侧壁，其中，所述第二导电层由单一导电材料形成，并直接与所述第一导电层接触以与所述掺杂区电连接。