[发明专利]光电探测结构及其制作方法

摘要

本发明提出了光电探测结构及其制作方法。该光电探测结构包括：基板；第一钝化层，设置在基板的一侧且具有第一开口；第一半导体层，设置在第一开口中；第二钝化层，设置在第一钝化层远离基板的一侧且具有第二开口；本征半导体层，设置在第二开口内且与第二开口的侧壁接触；第二半导体层，设置在本征半导体层远离基板的一侧。本发明所提出的光电探测结构，其本征半导体层被第二钝化层保护，从而有效避免因本征半导体层的边缘刻蚀缺陷导致的PIN器件漏电流升高，进而使该PIN光电探测结构的漏电流更小。

主权项

1.一种光电探测结构，其特征在于，包括：基板；第一钝化层，所述第一钝化层设置在所述基板的一侧，且具有第一开口；第一半导体层，所述第一半导体层设置在所述第一开口中；第二钝化层，所述第二钝化层设置在所述第一钝化层远离所述基板的一侧，且具有第二开口，并且，所述第二开口在所述基板上的正投影与所述第一开口在所述基板上的正投影至少部分重叠；本征半导体层，所述本征半导体层设置在所述第二开口内，且与所述第二开口的侧壁接触；第二半导体层，所述第二半导体层设置在所述本征半导体层远离所述基板的一侧。