[发明专利]磁性存储器的读出电路及磁性存储器有效

专利信息
申请号: 201910232563.6 申请日: 2019-03-26
公开(公告)号: CN111755044B 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 郑斯文;倪昊;汪腾野;王韬 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张振军;吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种磁性存储器的读出电路及磁性存储器,读出电路包括:第一充电电容,其一端接地,其另一端耦接数据单元的输出端;第一预充电模块,用以对所述第一充电电容进行充电;第一放电控制模块,用以根据第一充电电容的放电速度控制数据电压的大小;第二充电电容;第二预充电模块,其耦接所述第二充电电容的另一端,用以对第二充电电容进行充电;第二放电控制模块,其控制端耦接第二充电电容的另一端,其输入端接入电源电压,其输出端输出参考电压,用以根据第二充电电容的放电速度控制参考电压的大小;灵敏放大器,其输入端分别接入数据电压和参考电压,其输出端输出读出信号。本发明技术方案能够提升磁性存储器的读出准确性和可靠性。
搜索关键词: 磁性 存储器 读出 电路
【主权项】:
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