[发明专利]磁性存储器的读出电路及磁性存储器

权利要求书

1.一种磁性存储器的读出电路，所述读出电路的输入端耦接所述磁性存储器的数据单元以及参考单元，其特征在于，包括：

第一充电电容，其一端接地，其另一端耦接所述数据单元的输出端；

第一预充电模块，其耦接所述第一充电电容的另一端，用以对所述第一充电电容进行充电；

第一放电控制模块，其控制端耦接所述第一充电电容的另一端，其输入端接入电源电压，其输出端输出数据电压，用以根据所述第一充电电容的放电速度控制所述数据电压的大小；

第二充电电容，其一端接地，其另一端耦接所述参考单元的输出端；

第二预充电模块，其耦接所述第二充电电容的另一端，用以对所述第二充电电容进行充电；

第二放电控制模块，其控制端耦接所述第二充电电容的另一端，其输入端接入电源电压，其输出端输出参考电压，用以根据所述第二充电电容的放电速度控制所述参考电压的大小；

灵敏放大器，其输入端分别接入所述数据电压和所述参考电压，其输出端输出读出信号；

所述第一放电控制模块包括：

第一开关元件，其控制端耦接所述第一充电电容的另一端，其输入端接入所述电源电压，其输出端输出所述数据电压；

第三充电电容，其一端接入所述电源电压；

第三预充电模块，其耦接所述第三充电电容的另一端，用以对所述第三充电电容进行充电。

2.根据权利要求1所述的读出电路，其特征在于，所述数据单元处于低阻态且小于所述参考单元的电阻时，所述第一充电电容的放电速度快于所述第二充电电容的放电速度，所述第一放电控制模块输出的所述数据电压高于所述第二放电控制模块输出的所述参考电压；所述数据单元处于高阻态且大于所述参考单元的电阻时，所述第一充电电容的放电速度慢于所述第二充电电容的放电速度，所述第一放电控制模块输出的所述数据电压低于所述第二放电控制模块输出的所述参考电压。

3.根据权利要求1所述的读出电路，其特征在于，所述第二放电控制模块包括：

第二开关元件，其控制端耦接所述第二充电电容的另一端，其输入端接入所述电源电压，其输出端输出所述参考电压；

第四充电电容，其一端接入所述电源电压；

第四预充电模块，其耦接所述第四充电电容的另一端，用以对所述第四充电电容进行充电。

4.根据权利要求3所述的读出电路，其特征在于，所述第三充电电容的电容值与所述第四充电电容的电容值一致，所述第三预充电模块对所述第三充电电容预充电后的预充电电位，与所述第四预充电模块对所述第四充电电容预充电后的预充电电位一致。

5.根据权利要求3所述的读出电路，其特征在于，所述第一充电电容的电容值大于所述第三充电电容的电容值，所述第二充电电容的电容值大于所述第四充电电容的电容值。

6.根据权利要求3所述的读出电路，其特征在于，所述第一开关元件和所述第二开关元件为MOS管或传输门。

7.根据权利要求1所述的读出电路，其特征在于，所述第一充电电容的电容值与所述第二充电电容的电容值一致，所述第一预充电模块对所述第一充电电容预充电后的预充电电位，与所述第二预充电模块对所述第二充电电容预充电后的预充电电位一致。

8.根据权利要求1所述的读出电路，其特征在于，所述灵敏放大器为锁存放大器。

9.一种磁性存储器，包括数据单元以及参考单元，其特征在于，还包括如权利要求1至8中任一项所述的读出电路。