[发明专利]一种膜制作装置及工艺在审
申请号: | 201910225757.3 | 申请日: | 2019-03-22 |
公开(公告)号: | CN109786587A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 肖鹤鸣 | 申请(专利权)人: | 纳晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 付兴奇 |
地址: | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种膜制作装置及工艺,属于半导体器件领域。制作装置包括:具有容纳腔的容器,容器由第一端至第二端延伸而成,第二端形成有与容纳腔连通的开口;承载器,承载器被构造来以能够旋转且邻近第一端的方式容纳于容纳腔内;第一管,第一管的管腔与容纳腔连通。盖,盖连接于容器的第二端以封闭开口且能够可选地暴露开口;第二管,第二管的管腔与容纳腔连通,第二管连接于容器的第一端。利用以上所提及的制作装置可以获得厚度更加均匀的膜层,有利于提高制作获得膜的质量。 | ||
搜索关键词: | 容纳腔 制作装置 第二管 连通 承载器 第一端 管腔 开口 半导体器件领域 封闭开口 可选 膜层 邻近 容纳 暴露 延伸 制作 | ||
【主权项】:
1.一种膜制作装置,其特征在于,包括:具有容纳腔的容器,所述容器由第一端至第二端延伸而成,所述第二端形成有与所述容纳腔连通的开口;承载器,所述承载器被构造来以能够旋转且邻近所述第一端的方式容纳于所述容纳腔内;盖,所述盖连接于所述容器的所述第二端以封闭所述开口且能够可选地暴露所述开口;用于从所述容器外引导气流进入所述容纳腔内的第一管,所述第一管的管腔与所述容纳腔连通,所述第一管连接于所述容器的所述第二端或所述盖;用于从所述容纳腔内引导气流排出到所述容器外的第二管,所述第二管的管腔与所述容纳腔连通,所述第二管连接于所述容器的所述第一端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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