[发明专利]一种SrMoO3陶瓷靶材的制备方法在审

专利信息
申请号: 201910217128.6 申请日: 2019-03-21
公开(公告)号: CN109928751A 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 宋伟杰;盛伟;杨晔;兰品军;李佳;黄金华 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/622;C04B35/626
代理公司: 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 代理人: 张鸿飞
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供一种基于钙钛矿结构的SrMoO3陶瓷靶材的制备方法,在避免Mo4+阳离子被氧化的前提下,以一种方便、低成本的方法合成烧结活性较高、尺寸均匀较小的SrMoO3前驱体颗粒;然后通过单项模压加冷等静压成型;最后,选择一种低能耗、设备成本小的SrMoO3陶瓷烧结方法。制备得到高密度、低电阻率、纯钙钛矿相的高质量SrMoO3陶瓷,可满足诸多SrMoO3薄膜镀膜应用的需求。
搜索关键词: 制备 陶瓷靶材 冷等静压成型 钙钛矿结构 前驱体颗粒 薄膜镀膜 纯钙钛矿 低电阻率 烧结活性 设备成本 陶瓷烧结 低成本 低能耗 阳离子 陶瓷 合成 应用
【主权项】:
1.一种SrMoO3陶瓷靶材的制备方法,其特征在于,包括以下具体步骤:1)将SrCO3粉体和 MoO3粉体按照摩尔比1:1混合后加入含有0.1‑2wt%分散剂的去离子水中,经球磨形成浆料;然后将所述浆料在60‑100℃的干燥箱中干燥10‑24小时,得到SrMoO4粉体;将所述SrMoO4粉体放入坩埚置于气氛炉中,在 H2和Ar混合气体氛围下,于1300‑1900℃下还原4‑14小时,得到SrMoO3前驱体粉末;2)将所述SrMoO3前驱体粉末置入模具中经20‑50MPa单项模压和120‑300MPa的冷等静压成型,保压时间为60‑600s,形成致密度为60‑75%的陶瓷坯体;将陶瓷坯体置于烧结炉中,烧结炉从室温开始以0.5‑10℃/min的升温速率升到第一步设定温度1350‑1480℃,保温120‑360min;然后以10‑100℃/min降温速率降到第二步设定温度1000‑1250℃,并保温120‑480min,最后,以0.5‑10℃/min的降温速率降至室温即得SrMoO3陶瓷靶材。
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