[发明专利]一种单片式硅基MEMS陀螺仪加速度计结构有效
| 申请号： | 201910215342.8 | 申请日： | 2019-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN109991445B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 高阳;张嘉超;陈烨;路绳方;焦良葆;曹雪虹 | 申请（专利权）人： | 南京工程学院 |
| 主分类号： | G01P15/08 | 分类号： | G01P15/08 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 张耀文 |
| 地址： | 211167 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种单片式硅基MEMS陀螺仪加速度计结构，它涉及微机电系统(MEMS)和微惯性测量技术领域。包括上层硅结构层、键合层、引线层和下层玻璃基底层，所述上层硅结构层、键合层、引线层和下层玻璃基底层从上往下依次连接；所述上层硅结构层包括硅微环形陀螺仪子结构和硅微谐振式加速计子结构；所述硅微谐振式加速度计子结构位于硅微环形陀螺仪子结构的内部。采用上述技术方案后，本发明有益效果为：在没有增加总体体积的情况下，实现了垂直纸面的角运动和竖直方向的线加速度的单片测量，具有体积小、结构紧凑、设计简单、精度高的优点。此外，陀螺仪与加速度计结构为分离布置，避免了信号的耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单片 式硅基 mems 陀螺仪 加速度计 结构 | ||
【主权项】：
1.一种单片式硅基MEMS陀螺仪加速度计结构，其特征在于：包括上层硅结构层（I）、键合层（II）、引线层（III）和下层玻璃基底层（IV），所述上层硅结构层（I）、键合层（II）、引线层（III）和下层玻璃基底层（IV）从上往下依次连接；所述上层硅结构层（I）包括硅微环形陀螺仪子结构（A）和硅微谐振式加速计子结构（B），所述硅微谐振式加速度计子结构(B)位于硅微环形陀螺仪子结构(A)的内部。
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