[发明专利]一种二氧化硅加载条型波导及其制作方法有效
| 申请号： | 201910213337.3 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109975926B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 王羿文;胡卉;张洪湖 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/138;G02B6/132 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 郑平 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于加载条型光波导技术领域,尤其涉及一种二氧化硅加载条型波导及其制作方法。所述二氧化硅加载条型波导从下到上依次包括：单晶铌酸锂衬底、二氧化硅缓冲层、单晶铌酸锂薄膜、二氧化硅加载条，所述二氧化硅缓冲层覆盖于单晶铌酸锂衬底上，单晶铌酸锂薄膜覆盖于二氧化硅缓冲层上，若干个所述二氧化硅加载条排列、覆盖在单晶铌酸锂薄膜上。本发明制备的加载条型光波导损耗低，仅为0.16dB/cm，同时，与其他加载条用刻蚀工艺来制备的方式相比较，本发明的制备工艺中二氧化硅加载条不需要额外的刻蚀步骤，通过反剥工艺即可实现加载条的制备，制作工艺简易方便，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 加载 波导 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种二氧化硅加载条型波导，其特征在于，其从下到上依次包括：单晶铌酸锂衬底、二氧化硅缓冲层、单晶铌酸锂薄膜、二氧化硅加载条，所述二氧化硅缓冲层覆盖于单晶铌酸锂衬底上，单晶铌酸锂薄膜覆盖于二氧化硅缓冲层上，所述二氧化硅加载条覆盖在单晶铌酸锂薄膜上。
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