[发明专利]一种高纯SiC粉料的快速合成方法在审
| 申请号： | 201910207141.3 | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111717918A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 陈秀芳;张木青;杨祥龙;彭燕;胡小波;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984;C30B35/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王楠 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高纯SiC粉料的快速合成方法，属于碳化硅粉料合成技术领域，包括以下步骤：选择高纯C粉与Si粉均匀混合；选择高纯聚碳硅烷粉末与混合后的碳硅粉均匀混合；将混好的粉末放入高纯石墨坩埚中将坩埚置于中频感应加热炉中，并抽真空；充入惰性气体缓慢加热；在腔室中通入高纯氩气、或氩气和氢气的混合物加热进行合成反应；在腔室内充入高纯氩气与氢气充压、快速升温进行合成转化反应，在氩气与氢气保护下缓慢降至室温。可以满足高纯半绝缘SiC单晶生长需要，且操作简单，适于快速大批量生产，进一步降低杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 sic 快速 合成 方法 | ||
【主权项】：
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