[发明专利]一种高纯SiC粉料的快速合成方法在审
| 申请号： | 201910207141.3 | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111717918A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 陈秀芳;张木青;杨祥龙;彭燕;胡小波;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984;C30B35/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王楠 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 sic 快速 合成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高纯SiC粉料的快速合成方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)选择高纯C粉与Si粉按1：1.05的摩尔比进行均匀混合，C粉与Si粉的纯度均大于99.998％；
(2)选择高纯聚碳硅烷(PCS)粉末与步骤(1)混合后的碳硅粉按质量比1：100的比例均匀混合；聚碳硅烷的纯度优于99.99％；
(3)将步骤(2)中混好的粉末放入高纯石墨坩埚中将坩埚置于中频感应加热炉中，并抽真空；
(4)反应室内充入惰性气体至100mbar，缓慢加热至500-700度，反复充抽3次；
(5)在腔室中通入高纯氩气、或氩气和氢气的混合物，加热至1100-1300进行合成反应，反应时间3-5h；
(6)按90:10的流量比在腔室内充入高纯氩气与氢气，充压至600mbar，快速升温至1900-2100℃进行合成转化反应，合成时间持续10-15h以促进颗粒长大并达到进一步提纯目的；
(7)在氩气与氢气保护下缓慢降至室温。
2.根据权利要求1所述的高纯SiC粉料的快速合成方法，其特征在于，步骤(3)中，坩埚上盖设有孔。
3.根据权利要求1所述的高纯SiC粉料的快速合成方法，其特征在于，步骤(3)中，抽真空至5x10-6mbar。
4.根据权利要求1所述的高纯SiC粉料的快速合成方法，其特征在于，步骤(4)中，惰性气体为H2。
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