[发明专利]一种分离栅MOSFET器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910174061.2 | 申请日： | 2019-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN109801972A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 原小明 | 申请（专利权）人： | 南京江智科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 江苏楼沈律师事务所 32254 | 代理人： | 吕欣 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种分离栅MOSFET器件及其制造方法。本发明通过在第一层多晶硅中设置两个竖向的第二层多晶硅，达到了减少光刻次数，降低了工艺制造成本和复杂度，提高了耐压能力和绝缘层质量，提高了工艺可靠性和一致性，并使得本专利工艺简单,工艺窗口大，适合大规模量产制造。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅 分离栅 绝缘层 制造 工艺制造成本 工艺可靠性 工艺窗口 耐压能力 专利工艺 第一层 复杂度 光刻 量产 竖向 | ||
【主权项】：
1.一种分离栅MOSFET器件制造方法，其特征在于：步骤一，在衬底上形成外延层，并在外延层上生长或者淀积第一绝缘层；步骤二，在第一绝缘层表面曝光显影定义出第一沟槽区域；步骤三，采用干法刻蚀工艺挖出第一沟槽；步骤四，在第一沟槽的底部及侧面的表面形成第一氧化层；步骤五，在第一氧化层的表面淀积第一层多晶硅；步骤六，对所述第一层多晶硅进行回刻，使得沟槽外部的第一层多晶硅完全去除；步骤七，在第一层多晶硅5表面曝光显影定义出第二沟槽、第三沟槽区域，并挖出第二沟槽、第三沟槽；步骤八，在第二沟槽、第三沟槽的底部及侧面的表面形成第二氧化层；步骤九，在第二氧化层的表面淀积第二层多晶硅；步骤十，对所述第二层多晶硅进行回刻，使得第二沟槽、第三沟槽外部的第二层多晶硅完全去除；步骤十一，通过刻蚀将第一绝缘层去除，P‑Body注入及推进Drive‑in，N+注入并推进Drive‑in；步骤十二，淀积第二绝缘层及形成接触孔。
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