[发明专利]环境友好半导体材料Mg2Ge薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910165040.4 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN109825803A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 谢泉;侯亮亮;余宏;姚秋原;张晋敏;肖清泉;陈茜 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/16;C23C14/58 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 李亮;程新敏 |
| 地址： | 550025 贵州省贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种环境友好半导体材料Mg2Ge薄膜的制备方法。本发明将蒸发材料放入适当的电阻加热体内，通电使蒸发材料直接加热蒸发，从而使蒸发材料以气态形式沉积到基片上形成薄膜。本发明首先采用电阻式蒸发技术沉积400nm左右纯金属Mg膜在Ge单晶基片上，形成Ge/Mg薄膜结构，随后置于真空退火炉中退火，获得较高质量Mg2Ge半导体薄膜。本发明具有生产成本较低，能够进行工业化生产的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 蒸发材料 薄膜 半导体材料 环境友好 沉积 制备 退火 半导体薄膜 电阻式蒸发 真空退火炉 薄膜结构 单晶基片 电阻加热 气态形式 直接加热 纯金属 放入 生产成本 蒸发 通电 体内 | ||
【主权项】：
1.一种环境友好半导体材料Mg2Ge薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将Ge片清洗并干燥；2)将清洗后的Ge片固定在蒸镀室上方的样品架上，Mg颗粒放置在蒸发舟内；3)对Ge片进行蒸镀；4)将Ge片蒸镀后进行冷却，再将冷却后的Ge片取出置于高真空退火炉中在低真空氛围中退火，形成一种环境友好半导体Mg2Ge多晶薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州大学，未经贵州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910165040.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：掩模板及其制备方法
- 下一篇：一种卷式PVD制备叠层渐变钼电极工艺
- 同类专利
- 专利分类
