[发明专利]一种PERC电池背表面的抛光方法在审
申请号: | 201910164293.X | 申请日: | 2019-03-05 |
公开(公告)号: | CN109904282A | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 陈玉伟;唐惠东;陈小卉;李龙珠;杨蓉;徐立波 | 申请(专利权)人: | 常州工程职业技术学院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 朱晓凯 |
地址: | 213164 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种PERC电池背表面的抛光方法,具体包括大气压等离子体放电在硅片正表面制备二氧化硅膜、抛光硅片背表面和去离子水清洗、烘干等步骤,较传统的高温氧化制备二氧化硅膜的方法而言,本发明公开的方法更加简单,大气压等离子体放电产生二氧化硅的过程可在室温空气条件下进行,对设备要求低,能耗低,操作更为便捷;在氧化后只需利用去离子水对电池背表面进行清洗,与含氟浆料清洗相比,能显著节约成本和避免环境污染。 | ||
搜索关键词: | 背表面 大气压等离子体 二氧化硅膜 去离子水 电池 抛光 放电 制备 清洗 硅片正表面 二氧化硅 高温氧化 浆料清洗 抛光硅片 室温空气 传统的 对设备 烘干 含氟 能耗 节约 | ||
【主权项】:
1.一种PERC电池背表面的抛光方法,其特征在于,具体包括以下步骤:(1)将单晶制绒后的硅片的其中一个表面作为PERC电池的正表面,在该表面进行大气压等离子体放电,得到不同厚度的二氧化硅膜;(2)在浓度为2~10wt%的抛光化学试剂水溶液中对硅片背表面进行抛光;(3)将抛光后的硅片置于含2~5wt%HF的水溶液中进行清洗,去除硅片正面的二氧化硅膜;(4)用去离子水清洗硅片,再将硅片离心烘干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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