[发明专利]选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910162591.5 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN109887943B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 刘欢;刘卫国;安妍;白民宇;韩军;王卓曼;胡加兴;蔡长龙 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 黄秦芳 |
| 地址： | 710032 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构及其制备方法，该选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构，包括可探测不同波段入射光的若干个亚像素单元，每个亚像素单元均由方井状的微结构阵列及其表面的金属下电极、光敏层和上电极构成，不同亚像素单元中的方井状的微结构尺寸及阵列间距根据其所在亚像素单元的探测波段确定，所述方井状的微结构上端开口内部中空构成谐振腔，同一亚像素单元内相邻的方井状的微结构之间构成谐振腔。本发明解决现有技术中的探测器结构无法同时实现可见光‑近红外多波段吸收增强探测的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 吸收 增强 光谱 波段 探测 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.选择性吸收增强的宽光谱多波段探测结构，其特征在于，包括可探测不同波段入射光的若干个亚像素单元，每个亚像素单元均由方井状的微结构阵列及其表面的金属下电极（2）、光敏层（3）和上电极（4）构成，不同亚像素单元中的方井状的微结构尺寸及阵列间距根据其所在亚像素单元的探测波段确定，所述方井状的微结构上端开口内部中空构成谐振腔，同一亚像素单元内相邻的方井状的微结构之间构成谐振腔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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