[发明专利]一种管式PECVD设备双面沉积太阳能电池非晶硅层的方法在审
| 申请号： | 201910155718.0 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN109950132A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 白焱辉;李高非;王继磊;张娟;鲁林峰;黄金;鲍少娟;高勇;崔宁;贾慧君;王嘉超 | 申请（专利权）人： | 晋能光伏技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 镇江京科专利商标代理有限公司 32107 | 代理人： | 夏哲华 |
| 地址： | 030600 山西省晋*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明管式PECVD设备双面沉积太阳能电池非晶硅层的方法，采用管式PECVD设备，对太阳能电池同时进行双面非晶硅镀膜，能够减少PECVD管数量，降低设备成本，减少翻片过程，防止硅片表面摩擦及污染，提高非钝化效果；操作简便，耗费时间短，效率高，设备成本、生产成本投入低廉，产能高，有利于异质结电池产品大规模量产。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 非晶硅层 双面沉积 管式 异质结电池 钝化效果 硅片表面 降低设备 设备成本 非晶硅 产能 镀膜 翻片 量产 种管 生产成本 摩擦 污染 | ||
【主权项】：
1.一种管式PECVD设备双面沉积太阳能电池非晶硅层的方法，其特征在于：包括以下步骤：硅片通过化学药品清洗形成表面的织构化；采用管式PECVD设备在织构化硅片表面同时形成正背面本征非晶硅膜层；采用管式PECVD设备在正面本征非晶硅膜层上形成n型或p型掺杂非晶硅层；采用管式PECVD设备在背面本征非晶硅膜层上形成p型或n型掺杂非晶硅层；在正背面掺杂非晶硅薄膜层上形成正背面形成透明导电膜层；在正背面透明导电膜层上形成导正背面金属电极；固化金属电极；测试分选。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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