[发明专利]基于物理气相传输法的温度场控制装置及温控方法在审
| 申请号： | 201910154903.8 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN109666970A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 刘乃鑫;魏同波;魏学成;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B23/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于物理气相传输法的温度场控制装置及温控方法，通过设置感应线圈的分布构造温度分布场，感应线圈的分布包括感应线圈的匝数、感应线圈的分布疏密、感应线圈距离坩埚的远近、多段式分布线圈等形式，形成温度相对高低的不同温度分布场，通过改变坩埚与该温度分布场的相对位置关系控制晶体不同制备阶段中原料区和结晶区的温度分布以及温度梯度，利用温度分布场的设置实现了温度分布和温度梯度的动态、精确可控，有效抑制了晶体生长过程中的二次形核，并且具体设置对应不同晶体所需的生长条件可以适应性调整，具有广泛的适用性。多段式设置相比于现有的单段式线圈来说，非高温区通过降低输入功率，增强了加热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 感应线圈 温度分布场 物理气相传输法 控制装置 温度分布 温度梯度 多段式 温度场 温控 坩埚 晶体生长过程 相对位置关系 适应性调整 分布构造 分布疏密 分布线圈 加热效果 控制晶体 生长条件 输入功率 有效抑制 单段式 非高温 结晶区 原料区 次形 可控 匝数 制备 | ||
【主权项】：
1.一种基于物理气相传输法的温度场控制装置，其特征在于，包括：坩埚(1)，其内部具有原料区(11)和结晶区(12)，该原料区(11)和结晶区(12)之间存在一距离；分布式线圈(2)，设置于该坩埚(1)的外部；其中，该分布式线圈(2)内部具有不同的分布设置，对应形成温度相对高低的不同温度分布场，通过改变坩埚(1)与该温度分布场的相对位置关系控制晶体不同制备阶段中原料区(11)和结晶区(12)的温度分布以及温度梯度。
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