[发明专利]高阻挡温度自旋轨道转矩电极在审
| 申请号： | 201910150494.4 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110323330A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | T·戈萨维;S·马尼帕特鲁尼;K·奥古兹;I·扬;K·奥布莱恩;G·艾伦;N·佐都 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/10;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有高阻挡温度的设备，其包括：具有带有第一磁化的磁体的磁性结；与所述磁性结相邻的互连，其中，所述互连包括利用掺杂材料(Pt、Ni、Co或Cr)掺杂的反铁磁(AMF)材料；以及与所述互连相邻的结构，所述结构与所述互连相邻使得所述磁性结和所述结构处于所述互连的相对表面上，其中，所述结构包括具有第二磁化的磁体，所述第二磁化显著不同于所述第一磁化。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 磁化 阻挡 掺杂材料 掺杂的 反铁磁 电极 转矩 自旋 轨道 | ||
【主权项】：
1.一种具有高阻挡温度的设备，所述设备包括：磁性结，其包括：结构的堆叠体，包括：第一结构，其包括具有相对于器件的x‑y平面的非固定垂直磁各向异性(PMA)的磁体；第二结构，其包括电介质或金属之一；以及第三结构，其包括具有固定PMA的磁体，其中，所述第三结构具有垂直于所述器件的所述平面的各向异性轴，并且其中，所述第三结构与所述第二结构相邻，以使得所述第二结构处于所述第一结构和所述第三结构之间；以及与所述第三结构相邻的互连，其中，所述互连包括利用掺杂材料掺杂的反铁磁(AFM)材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910150494.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多频道自旋波传播磁子晶体结构
- 下一篇：半导体装置及其制造方法
