[发明专利]具有用于元数据的持久DRAM区域的SSD在审
| 申请号： | 201910149782.8 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110321249A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 李鹏;S.特里卡;J.卡恩;M.勒文 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F11/14 | 分类号： | G06F11/14;G06F12/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李啸;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体设备的实施例可以包含用于基于从一个或多个备用功率源可获得的功率量来确定易失性介质的持久区域和非持久区域并且周期性地将易失性介质的仅非持久区域备份到非易失性介质的技术。公开并要求保护了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 易失性 非易失性介质 半导体设备 备用功率 功率量 元数据 备份 | ||
【主权项】：
1.一种存储系统，包括：非易失性介质；易失性介质；一个或多个备用功率源，所述一个或多个备用功率源通信地耦合到所述非易失性介质和所述易失性介质；以及通信地耦合到所述非易失性介质、所述易失性介质和所述一个或多个备用功率源的逻辑，所述逻辑用于：基于从所述一个或多个备用功率源可获得的功率量来确定所述易失性介质的持久区域和非持久区域，以及周期性地将所述易失性介质的仅所述非持久区域备份到所述非易失性介质。
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