[发明专利]一种MICRO LED结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910141838.5 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111613696A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;张楠;袁根如 | 申请（专利权）人： | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201209 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MICRO LED结构及其制作方法，包括如下步骤：1)提供生长基板；于生长基板表面形成半导体发光材料层；2)于芯片区域内的半导体发光材料层内形成环形沟槽；3)于环形沟槽的底部及侧壁形成电隔离层；4)于发光区域内的半导体发光材料层的表面形成欧姆接触层；5)于芯片区域内的欧姆接触层的表面及电隔离层的表面形成反射镜层；6)于半导体发光材料层的表面形成金属键合层；7)提供键合基板，将步骤6)所得结构键合于键合基板的表面，并去除生长基板；8)去除部分半导体发光材料层；9)于半导体发光材料层的表面形成电极10)于半导体发光材料层的表面形成量电子点。本发明可以实现电极等金属层之间的电隔离及各芯片之间的光隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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