[发明专利]半导体存储装置及NAND型快闪存储器的擦洗方法有效
| 申请号： | 201910131604.2 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN110232940B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 须藤直昭 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4072 | 分类号： | G11C11/4072 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置及NAND型快闪存储器的擦洗方法，能够一边减低消耗电力一边进行迅速的擦洗。本发明的快闪存储器，在擦洗动作时通过电压检出部来检测出P阱的电压，当电压比阈值小的情况下，判定非选择块的选择晶体管的关闭漏电流较大，并增大施加下一次的擦洗脉冲时的全域字线的电压，当电压在阈值以上的情况下，判定关闭漏电流较小，并维持施加下一次的擦洗脉冲时的全域字线的电压。本发明提供一种半导体存储装置，能够一边减低消耗电力一边迅速地进行抹除。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 nand 闪存 擦洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种NAND型快闪存储器的擦洗方法，其特征在于，包括：根据位址信息，将第1电压施加至连接到存储单元的各字线的第1选择晶体管的栅极并选择块，将第2电压施加至连接到存储单元的各字线的第2选择晶体管的栅极并不选择块，施加第3电压于第1及第2选择晶体管的源极/漏极；检测出施加了擦洗脉冲后的井领域的电压；以及根据检测出的电压来控制第3电压。
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