[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910097931.0 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN111508898B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;纪世良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，包括：提供衬底，衬底包括沿第一方向排布的第一区和第二区；在衬底第一区和第二区上分别形成初始鳍部，初始鳍部的延伸方向为第二方向，第二方向垂直于第一方向，初始鳍部包括若干层在衬底层叠的第一鳍部层、以及位于相邻两层第一鳍部层之间的第二鳍部层；在第一区上形成横跨初始鳍部的第一伪栅；在第二区上形成横跨初始鳍部的第二伪栅；形成覆盖第一伪栅侧壁和第二伪栅侧壁的介质层；去除第一伪栅和第一伪栅覆盖的第二鳍部层，形成第一栅开口；在第一栅开口内形成第一栅极结构；去除第二伪栅和第二伪栅覆盖的第一鳍部层，形成第二栅开口；在第二栅开口内形成第二栅极结构。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
