[发明专利]一种原位生长Al等离激元纳米结构的方法

摘要

本发明属于半导体技术领域，涉及一种原位生长Al等离激元纳米结构的方法。本发明的原位生长Al等离激元纳米结构的方法，在常规MOCVD生长AlGaN基探测器外延片的基础上，利用铝有机金属源受热分解的特性，在AlGaN基材料表面或是有源区原位生长Al的纳米结构，产生等离激元效应，为提高AlGaN基探测器外延片性能提供了新途径。本发明利用MOCVD方法在AlGaN基材料表面或是有源区原位生长Al等离激元纳米结构，制备Al等离激元结构的设备为生长AlGaN材料的高温MOCVD设备。本发明制备Al等离激元纳米结构的基本原理是MOCVD中的铝金属有机源受热分解的性能，在生长AlGaN基外延片的同时可以将Al等离激元生长在AlGaN基材料表面或是深入其有源区，更好的发挥其等离激元效应，从而提高AlGaN基紫外及深紫外探测器性能。