[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201910094272.5 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN110875332B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 伊藤孝政;小宫谦;上中恒雄 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B43/40 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实施方式的半导体存储装置具备基体部、积层体、以及第1柱状部。积层体包含衬底、设置在衬底上的半导体元件、设置在半导体元件的上方的下层配线、以及设置在下层配线的上方且包含金属化合物或多晶硅的第1导电层。积层体设置在第1导电层的上方，且包含交替积层的多个第2导电层与多个绝缘层。第1柱状部包含在积层体的积层方向上延伸且与第1导电层电连接的半导体主体、以及在多个第2导电层与半导体主体之间具有电荷捕获部的存储器膜。第1导电层至少设置在积层体与下层配线之间、以及积层体的周边区域与下层配线之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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