[发明专利]用于封装件集成的缓冲设计有效

申请号：	201910089333.9	申请日：	2019-01-30
公开（公告）号：	CN110660684B	公开（公告）日：	2021-07-06
发明（设计）人：	陈洁;陈宪伟;陈明发;余振华	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/56	分类号：	H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31
代理公司：	北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409	代理人：	章社杲;李伟
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	一种形成封装件的方法包括将器件管芯接合到中介层晶圆，其中，中介层晶圆包括金属线和通孔；形成介电区以包围器件管芯；以及形成贯通孔以穿透介电区。贯通孔通过中介层晶圆中的金属线和通孔电连接到器件管芯；在介电区上形成聚合物层；以及形成电连接件。电连接件通过聚合物层中的导电部件电连接到贯通孔；以及锯切中介层晶圆以将封装件与其他封装件分离。本发明的实施例还涉及用于封装件集成的缓冲设计。
搜索关键词：	用于封装集成缓冲设计
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.一种形成半导体器件的方法，包括：/n形成第一封装件，包括：/n将第一器件管芯接合到中介层晶圆，其中，所述中介层晶圆包括金属线和通孔；/n形成介电区以包围所述第一器件管芯；/n形成贯通孔以穿透所述介电区，其中，所述贯通孔通过所述中介层晶圆中的所述金属线和通孔电连接到所述第一器件管芯；/n在所述介电区上形成聚合物层；/n形成电连接件，其中，所述电连接件通过所述聚合物层中的导电部件电连接到所述贯通孔；以及/n锯切所述中介层晶圆以将所述第一封装件与其他封装件分离。/n

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910089333.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]用于封装件集成的缓冲设计有效

专利文献下载