[发明专利]半导体器件和半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201910075271.6 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN111490099B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 韩啸 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/367;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 孙海杰 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供的半导体器件和半导体器件制造方法，涉及半导体技术领域。其中，半导体器件包括：衬底；在所述衬底上制作的半导体层；基于所述半导体层远离所述衬底的一侧制作的源极、栅极和漏极；散热结构，该散热结构与所述源极接触并贯穿所述半导体层后与所述衬底接触，且该散热结构靠近所述衬底的一端至少延伸至所述栅极对应的位置。通过上述设置，可以改善现有的半导体器件中存在的散热效果较差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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