[发明专利]半导体器件和半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

在所述衬底上制作的半导体层；

基于所述半导体层远离所述衬底的一侧制作的源极、栅极和漏极；以及

设置在所述半导体层中的散热结构，该散热结构与所述源极接触并贯穿所述半导体层后与所述衬底接触，该散热结构位于所述半导体层中且靠近所述衬底的一端至少延伸至所述栅极对应的位置；

所述散热结构包括第一部分和第二部分，该第一部分至少从所述源极靠近所述衬底的一面贯穿至所述衬底，该第二部分沿不平行于该第一部分的方向延伸至所述栅极对应的位置。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述散热结构靠近所述衬底的一端至少延伸至所述栅极远离所述源极的一侧对应的位置，以完全覆盖所述栅极在所述衬底上的投影。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一部分沿垂直于所述衬底的方向至少从所述源极靠近所述衬底的一面贯穿至所述衬底，所述第二部分沿垂直于所述第一部分的方向延伸至所述栅极对应的位置。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一部分的截面积大于或等于2um*2um。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一部分在所述源极的宽度方向上的宽度小于或等于该源极的宽度的一半。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，在所述源极的长度方向上分布有多个所述第一部分，且任意相邻两个第一部分之间的间距小于或等于该第一部分与所述栅极之间的距离、大于或等于该第一部分在所述源极的长度方向上的宽度。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层包括：

在所述衬底上制作的成核层；

在所述成核层远离所述衬底的一面制作的缓冲层；

在所述缓冲层远离所述成核层的一面制作的势垒层；

其中，所述第二部分的厚度等于所述成核层的厚度。

8.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层包括：

在所述衬底上制作的成核层；

在所述成核层远离所述衬底的一面制作的牺牲层；

在所述牺牲层远离所述成核层的一面制作的缓冲层；

在所述缓冲层远离所述牺牲层的一面制作的势垒层；

其中，所述第二部分的厚度大于或等于所述成核层的厚度，且小于或等于所述成核层与所述牺牲层的厚度之和。

9.一种半导体器件制造方法，其特征在于，用于制造权利要求1-8任意一项所述的半导体器件，所述方法包括：

提供一衬底，并在该衬底上制作半导体层；

制作贯穿所述半导体层后与所述衬底接触的散热结构；

制作形成位于所述半导体层远离衬底一侧的源极、栅极和漏极，其中，所述源极与所述散热结构接触，所述栅极在所述衬底上的投影与所述散热结构靠近所述衬底的一端至少部分重合。

10.根据权利要求9所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述在该衬底上制作半导体层的步骤，包括：

在该衬底上制作成核层；

在所述成核层远离所述衬底的一面制作缓冲层；

在所述缓冲层远离所述成核层的一面制作势垒层；

其中，所述第一部分沿垂直于所述衬底的方向至少从所述源极靠近所述衬底的一面贯穿至所述衬底，所述第二部分沿垂直于所述第一部分的方向延伸至所述栅极对应的位置，所述第二部分的厚度等于所述成核层的厚度。