[发明专利]半导体器件和半导体器件制造方法

说明书

本申请提供的半导体器件和半导体器件制造方法，涉及半导体技术领域。其中，半导体器件包括：衬底；在所述衬底上制作的半导体层；基于所述半导体层远离所述衬底的一侧制作的源极、栅极和漏极；散热结构，该散热结构与所述源极接触并贯穿所述半导体层后与所述衬底接触，且该散热结构靠近所述衬底的一端至少延伸至所述栅极对应的位置。通过上述设置，可以改善现有的半导体器件中存在的散热效果较差的问题。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件和半导体器件制造方法。

背景技术

在现有的高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)器件中，由于衬底与缓冲层之间的成核层存在大量位错，导致形成热传递障碍区，增加了器件整体的热阻。并且，这部分热阻在整体热阻中占较大比例。

其中，现有技术中一般通过在源极对应的位置开设通孔，以实现散热的目的。经发明人研究发现，在HEMT器件中，产生热量最大的区域为栅极，因而，通过上述通孔难以对栅极产生的热量进行有效地散热，进而导致器件整体容易出现高温的问题。

因此，提供一种可以对栅极进行有效地散热以避免器件整体出现高温的问题的技术方案，是亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种半导体器件和半导体器件制造方法，以改善现有的半导体器件中存在的散热效果较差的问题。

为实现上述目的，本申请实施例采用如下技术方案：

一种半导体器件，包括：

衬底；

在所述衬底上制作的半导体层；

基于所述半导体层远离所述衬底的一侧制作的源极、栅极和漏极；以及

散热结构，该散热结构与所述源极接触并贯穿所述半导体层后与所述衬底接触，且该散热结构靠近所述衬底的一端至少延伸至所述栅极对应的位置。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述半导体器件中，所述散热结构靠近所述衬底的一端至少延伸至所述栅极远离所述源极的一侧对应的位置，以完全覆盖所述栅极在所述衬底上的投影。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述半导体器件中，所述散热结构包括第一部分和第二部分，该第一部分至少从所述源极靠近所述衬底的一面贯穿至所述衬底，该第二部分沿不平行于该第一部分的方向延伸至所述栅极对应的位置。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述半导体器件中，所述第一部分沿垂直于所述衬底的方向至少从所述源极靠近所述衬底的一面贯穿至所述衬底，所述第二部分沿垂直于所述第一部分的方向延伸至所述栅极对应的位置。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述半导体器件中，所述第二部分的厚度大于或等于所述成核层的厚度，且小于或等于所述成核层与所述牺牲层的厚度之和。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述半导体器件中，所述第一部分的截面积大于或等于2um*2um。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述半导体器件中，所述第一部分在所述源极的宽度方向上的宽度小于或等于该源极的宽度的一半。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述半导体器件中，在所述源极的长度方向上分布有多个所述第一部分，且任意相邻两个第一部分之间的间距小于或等于该第一部分与所述栅极之间的距离、大于或等于该第一部分在所述源极的长度方向上的宽度。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述半导体器件中，所述半导体层包括：

在所述衬底上制作的成核层；

在所述成核层远离所述衬底的一面制作的缓冲层；