[发明专利]单片集成互注入型窄线宽半导体激光器

摘要

本公开提供了一种单片集成互注入型窄线宽半导体激光器。下包层、第一有源区、第二有源区、对接层、上包层、第一电极层和第二电极层；其中第一有源区、第二有源区通过对接层相连；第一有源区、第二有源区和对接层的下表面均与下包层的上表面相连，其中第一有源区、第二有源区和对接层的上表面均与上包层的下表面相连。本公开中第一有源区和第二有源区通过对接层实现互注入作用，在抑制频率噪声，压窄激光线宽的同时，对激射波长实现锁定，避免了传统的利用外腔压窄线宽结构的跳模危险，提高了频率的稳定性；同时本公开中采用的单片集成，利于完善器件的功能、提高器件的性能、减少器件的体积、降低器件的功耗，从而显著地降低了器件的成本，提高了器件的可靠性。

主权项

1.一种单片集成互注入型窄线宽半导体激光器，包括：下包层；第一有源区，生长于所述下包层上；所述第一有源区自下而上包括：第一多量子阱层和第一相移光栅层；第二有源区，生长于所述下包层上；所述第二有源区自下而上包括：第二多量子阱层和第二相移光栅层；对接层，生长于所述下包层上，所述对接层两端分别与第一有源区和第二有源区连接；上包层，生长于所述第一有源区的第一相移光栅层、所述第二有源区的第二相移光栅层和对接层上；第一电极层和第二电极层，分别生长于所述上包层上，用于引导注入电流。