[发明专利]单片集成互注入型窄线宽半导体激光器在审
| 申请号： | 201910071591.4 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109616870A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 刘建国;于海洋;杨成悟;邹灿文;郭锦锦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343;H01S5/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源区 对接层 单片集成 窄线宽 半导体激光器 上包层 上表面 下包层 下表面 注入型 第二电极 第一电极 激射波长 降低器件 频率噪声 传统的 激光线 功耗 跳模 外腔 锁定 | ||
1.一种单片集成互注入型窄线宽半导体激光器，包括：
下包层；
第一有源区，生长于所述下包层上；所述第一有源区自下而上包括：第一多量子阱层和第一相移光栅层；
第二有源区，生长于所述下包层上；所述第二有源区自下而上包括：第二多量子阱层和第二相移光栅层；
对接层，生长于所述下包层上，所述对接层两端分别与第一有源区和第二有源区连接；
上包层，生长于所述第一有源区的第一相移光栅层、所述第二有源区的第二相移光栅层和对接层上；
第一电极层和第二电极层，分别生长于所述上包层上，用于引导注入电流。
2.根据权利要求1所述的单片集成互注入型窄线宽半导体激光器，其中，所述下包层自下而上包括：N电极层、基底、缓冲层和下限制层；所述第一有源区生长于所述下限制层上。
3.根据权利要求1所述的单片集成互注入型窄线宽半导体激光器，其中，所述上包层自下而上包括：上限制层和刻蚀阻止层；上限制层生长于所述第一有源区的第一相移光栅层、所述第二有源区的第二相移光栅层和对接层上。
4.根据权利要求1所述的单片集成互注入型窄线宽半导体激光器，其中，所述第一电极层自下而上包括：第一欧姆接触层和第一p电极层；所述第二电极层自下而上包括：第二欧姆接触层和第二p电极层；所述第一欧姆接触层和第二欧姆接触层分别生长于所述上包层上。
5.根据权利要求1所述的单片集成互注入型窄线宽半导体激光器，其中，所述第一有源区的长度占所述下包层长度的20％～30％；所述第二有源区的长度占所述下包层长度的20％～30％。
6.根据权利要求3所述的单片集成互注入型窄线宽半导体激光器，其中，所述对接层和所述上限制层为无源区，所述无源区的长度占所述下包层长度的40％～60％。
7.根据权利要求1所述的单片集成互注入型窄线宽半导体激光器，其中，所述第一相移光栅层和第二相移光栅层分别进行单纵模激光输出；所述第一相移光栅层包括单个λ/4相移结构、两个λ/8相移结构、光栅周期调制结构和非对称相移光栅结构中任一种；所述第二相移光栅层包括单个λ/4相移结构、两个λ/8相移结构、光栅周期调制结构和非对称相移光栅结构中任一种。
8.根据权利要求1所述的单片集成互注入型窄线宽半导体激光器，其中，所述第一相移光栅层不与所述对接层相连的一端镀有高反膜。
9.根据权利要求1所述的单片集成互注入型窄线宽半导体激光器，其中，所述第二相移光栅层不与所述对接层相连的一端镀有高透膜。
10.根据权利要求1所述的单片集成互注入型窄线宽半导体激光器，其中，所述第一相移光栅层和第二相移光栅层的光栅周期相同；所述第一多量子阱层和第二多量子阱层材料相同。
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