[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201910067217.7 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109817723B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 程鸿飞;许晨 | 申请（专利权）人： | 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L21/336;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，用于降低驱动TFT的漏电流，从而提高显示面板的电学性能。该薄膜晶体管包括依次层叠的有源层和源极及漏极，其中：所述有源层分为沟道区和接触区，位于所述沟道区的有源层为多晶硅材料，位于所述接触区的有源层为非晶硅材料；所述源极和所述漏极位于所述接触区上，且所述源极沿厚度方向的截面与所述沟道区之间具有第一设定距离，所述漏极沿厚度方向的截面与所述沟道区之间具有第二设定距离，所述第一设定距离与所述第二设定距离相同或不同。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括依次层叠的有源层和源极及漏极，其中：所述有源层分为沟道区和接触区，位于所述沟道区的有源层为多晶硅材料，位于所述接触区的有源层为非晶硅材料；所述源极和所述漏极位于所述接触区上，且所述源极沿厚度方向的截面与所述沟道区之间具有第一设定距离，所述漏极沿厚度方向的截面与所述沟道区之间具有第二设定距离，所述第一设定距离与所述第二设定距离相同或不同。
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