[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，在形成堆叠层之后，在堆叠层的台阶区形成分区台阶，而分区台阶的端部具有冗余台阶区，该冗余台阶区具有多个同级台阶，进而，在冗余台阶区上形成阱区接触部。这样，由于冗余台阶区具有多个同级台阶，这些同级台阶中仅有一部分用于接触的形成，可以利用其它的同级台阶的区域来形成阱区的接触，无需在堆叠层之外设置额外的区域形成阱区接触部，从而，减少器件面积，进一步提高3D NAND存储器件的集成度。

主权项

1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底中形成有阱区，所述阱区上形成有堆叠层，所述堆叠层包括核心存储区以及台阶区，所述衬底表面所在平面包括正交的第一轴和第二轴，所述第一轴为沿所述核心存储区延伸的轴；在所述台阶区形成分区台阶，所述分区台阶包括n个分区，沿第一轴方向在所述分区台阶的端部具有冗余台阶区，所述冗余台阶区具有多个连续的同级台阶，n为大于1的自然数；在所述核心存储区中形成存储单元串；在所述冗余台阶区中形成阱区接触部。