[发明专利]半导体装置

摘要

提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，通过隔离沟槽彼此隔离，并且分别在基底上沿第一方向延伸；第三鳍型图案，在第二方向上与第一鳍型图案和第二鳍型图案分隔开并且在第一方向上延伸；场绝缘膜，位于第一鳍型图案至第三鳍型图案的侧壁的一部分上；器件隔离结构，在第二方向上延伸并且位于隔离沟槽中；栅极绝缘支撑件，在场绝缘膜上沿第一方向延伸并且位于第一鳍型图案与第三鳍型图案之间；栅极结构，与第三鳍型图案交叉，在第二方向上延伸并且与栅极绝缘支撑件接触，其中，从基底到栅极结构的底表面的高度比从基底到栅极绝缘支撑件的底表面的高度大。

主权项

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，通过隔离沟槽彼此隔离，并且分别在基底上沿第一方向延伸；第三鳍型图案，在第二方向上与所述第一鳍型图案和所述第二鳍型图案分隔开并且在所述第一方向上延伸；场绝缘膜，位于所述第一鳍型图案至所述第三鳍型图案的侧壁的一部分上；器件隔离结构，在所述第二方向上延伸并且位于所述隔离沟槽中；栅极绝缘支撑件，在所述场绝缘膜上沿所述第一方向延伸并位于所述第一鳍型图案与所述第三鳍型图案之间；栅极结构，与所述第三鳍型图案交叉，在所述第二方向上延伸并且与所述栅极绝缘支撑件接触，其中，从所述基底到所述栅极结构的底表面的高度比从所述基底到所述栅极绝缘支撑件的底表面的高度大。