[发明专利]一种高转换增益和低串扰的像素探测器有效
申请号: | 201910062429.6 | 申请日: | 2019-01-23 |
公开(公告)号: | CN109904272B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 王颖;兰昊;曹菲;于成浩 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0352 |
代理公司: | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 朱月芬 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种高转换增益和低串扰的像素探测器,包括:低阻硅层(电路层)、埋氧层、高阻n型衬底、背部电极、n+探测阱、n+探测阱读出电极、埋p阱引出电极、埋p阱、背部深埋p阱;本发明可以有效抑制背栅效应以及传感器与电路之间的串扰;降低全耗尽电压;有效降低电荷收集端的敏感节点电容,提高转换增益。 | ||
搜索关键词: | 一种 转换 增益 低串扰 像素 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种高转换增益和低串扰的像素探测器,其特征在于:低阻硅层、埋氧层、高阻n型衬底、背部电极、n+探测阱、n+探测阱读出电极、埋p阱引出电极、埋p阱、背部深埋p阱;所述的背部电极设置在背部深埋p阱下方;所述的高阻n型衬底设置在背部深埋p阱上方,n+探测阱和埋p阱设置在高阻n型衬底上方,所述的低阻硅层与高阻n型衬底由埋氧层隔开;所述的n+探测阱和埋p阱由埋氧层隔开;埋氧层设置在n+探测阱和埋p阱上方;埋p阱引出电极与埋p阱连接,n+探测阱读出电极与n+探测阱连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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