[发明专利]一种绝缘体上硅射频开关器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种绝缘体上硅射频开关器件及其制造方法，包括：在衬底上形成第一氧化物层、第一单晶硅层、第二氧化物层、第二单晶硅层、第三氧化物层和掩膜层；刻蚀掩膜层、第三氧化物层、第二单晶硅层和第二氧化物层形成第一开口和第二开口；在第一开口和第二开口内通过外延生长使其和第二单晶硅层的表面一致；刻蚀掩膜层、第三氧化物层、第二单晶硅层、第二氧化物层和第一单晶硅层形成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽；向三个沟槽内沉积等离子体氧化物形成浅沟槽隔离结构；去除所述第三氧化物层和所述掩膜层；在第二单晶硅层上形成体区接触器件。相比现有技术，可以减少寄生电容和正电子的集合，抑制了浮体效应，同时提高了击穿电压。

主权项

1.一种绝缘体上硅射频开关器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成第一氧化物层、第一单晶硅层、第二氧化物层、第二单晶硅层、第三氧化物层和掩膜层；依次刻蚀所述掩膜层、所述第三氧化物层、所述第二单晶硅层和所述第二氧化物层形成第一开口和第二开口；在所述第一开口和所述第二开口内通过外延生长一单晶硅使得单晶硅层的表面和所述第二单晶硅层的表面一致；依次刻蚀所述掩膜层、所述第三氧化物层、所述第二单晶硅层、所述第二氧化物层和所述第一单晶硅层形成第一沟槽和第二沟槽，依次刻蚀所述掩膜层、所述第三氧化物层和所述第二单晶硅层形成第三沟槽；向所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述第三沟槽沉积等离子体氧化物形成第一浅沟槽隔离结构、第二浅沟槽隔离结构和第三浅沟槽隔离结构；去除所述第三氧化物层和所述掩膜层；在所述第二单晶硅层上形成体区接触器件。