[发明专利]一种绝缘体上硅射频开关器件及其制造方法

权利要求书

1.一种绝缘体上硅射频开关器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上依次形成第一氧化物层、第一单晶硅层、第二氧化物层、第二单晶硅层、第三氧化物层和掩模层；

依次刻蚀所述掩模层、所述第三氧化物层、所述第二单晶硅层和所述第二氧化物层形成第一开口和第二开口；

在所述第一开口和所述第二开口内通过外延生长一单晶硅使得单晶硅层的表面和所述第二单晶硅层的表面一致；

依次刻蚀所述掩模层、所述第三氧化物层、所述第二单晶硅层、所述第二氧化物层和所述第一单晶硅层形成第一沟槽和第二沟槽，依次刻蚀所述掩模层、所述第三氧化物层和所述第二单晶硅层形成第三沟槽；

向所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述第三沟槽沉积等离子体氧化物形成第一浅沟槽隔离结构、第二浅沟槽隔离结构和第三浅沟槽隔离结构；

去除所述第三氧化物层和所述掩模层；

在所述第二单晶硅层上形成体区接触器件；

对所述第二单晶硅层进行离子注入形成N型阱区和P型阱区。

2.如权利要求1所述的绝缘体上硅射频开关器件的制造方法，其特征在于，在所述第一开口上形成体区器件的方法包括：在所述第二单晶硅层上形成栅极氧化层和在所述栅极氧化层上形成多晶硅栅。

3.如权利要求1所述的绝缘体上硅射频开关器件的制造方法，其特征在于，刻蚀所述第三氧化物层和所述掩模层的方法为光刻。

4.如权利要求1所述的绝缘体上硅射频开关器件的制造方法，其特征在于，刻蚀所述第一氧化物层、所述第二单晶硅层、第三氧化物层、第四单晶硅层的方法为干法刻蚀。

5.如权利要求1所述的绝缘体上硅射频开关器件的制造方法，其特征在于，形成所述第一氧化物层和所述第三氧化物层的方法为沉积法或热氧化法。

6.如权利要求1所述的绝缘体上硅射频开关器件的制造方法，其特征在于，向所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述第三沟槽沉积等离子体氧化物后，所述绝缘体上硅射频开关器件的制造方法还包括：通过化学机械的方法研磨等离子氧化物表面。

7.一种绝缘体上硅射频开关器件，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底的第一氧化物层、位于所述第一氧化物层上的第一单晶硅层，位于所述第一单晶硅上的第二氧化物层，位于所述第二氧化物层上的第二单晶硅层，以及位于所述第二单晶硅层上的栅极氧化物层和位于所述栅极氧化物层上的栅极多晶硅层；所述第二单晶硅层内还形成有N型阱区和P型阱区；所述绝缘体上硅射频开关器件还包括：位于所述N型阱区一侧的第一浅沟槽隔离结构、位于所述N型阱区和所述P型阱区的第二浅沟槽隔离结构和位于所述P型阱区一侧的第三浅沟槽隔离结构。