[发明专利]无引线封装的SiC高温压力传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201910053826.7 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN109724721A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 周圣军;徐浩浩;刘星童;李宁 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 俞琳娟 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供无引线封装的SiC高温压力传感器及其制造方法，包括：将p‑SiC晶圆片减薄，在Si面先后生长p‑SiC层与n‑SiC层；在C面形成具有方形浮雕结构的敏感膜片；在n‑SiC层上形成图形化掩模层，进行浅刻蚀和酸洗形成敏感压阻条；通过热氧化在Si面形成阻挡层；对其进行选择性腐蚀，在敏感压阻条上部得到接触窗口；在Si面形成Ni/Ti/Ni/Pt金属层；将金属层图形化；通过接触窗口与敏感压阻条接触并形成电极与焊盘；高温退火使敏感压阻条与金属电极形成欧姆接触，并形成静压力补偿单元；制造封装基体，在芯片焊盘处沉积Ag纳米颗粒，将Pt引线穿过引线孔并与Ag纳米颗粒烧结，然后在间隙处填充玻璃熔胶。 | ||
| 搜索关键词： | 压阻 敏感 高温压力传感器 无引线封装 接触窗口 制造 图形化掩模层 金属层图形 选择性腐蚀 补偿单元 封装基体 浮雕结构 高温退火 金属电极 敏感膜片 欧姆接触 芯片焊盘 烧结 间隙处 金属层 晶圆片 静压力 热氧化 引线孔 阻挡层 电极 焊盘 减薄 刻蚀 熔胶 酸洗 沉积 填充 穿过 玻璃 生长 | ||
【主权项】：
1.一种无引线封装的SiC高温压力传感器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1.将p‑SiC晶圆片减薄，在经过减薄的SiC晶圆片Si面先后同质外延生长p‑SiC层与n‑SiC层；步骤2.在SiC晶圆片的C面使用飞秒激光加工工艺形成具有方形浮雕结构的敏感膜片；步骤3.在n‑SiC层上使用光刻工艺、电子束蒸发工艺形成图形化Ni金属薄掩模层，通过进行浅刻蚀和用酸洗除去图形化Ni金属薄掩模层的方式形成敏感压阻条；步骤4.通过热氧化在Si面形成SiO2阻挡层；再通过光刻工艺、湿法腐蚀工艺对SiO2阻挡层进行选择性腐蚀，在敏感压阻条上部得到接触窗口；步骤5.通过光刻工艺、电子书蒸发工艺在SiC晶圆片Si面形成Ni/Ti/Ni/Pt金属层；再次通过光刻工艺、湿法腐蚀工艺将Ni/Ti/Ni/Pt金属层图形化；图形化的Ni/Ti/Ni/Pt金属层通过接触窗口与敏感压阻条接触并形成电极与焊盘结构；步骤6.通过高温退火，使敏感压阻条与Ni/Ti/Ni/Pt图形化金属电极形成欧姆接触，并且敏感压阻条与Ni/Ti/Ni/Pt图形化金属电极形成具有惠斯通电桥结构的静压力补偿单元，得到SiC高温压力传感器芯片；步骤7.制造AlN材料封装基体，再在SiC高温压力传感器芯片的焊盘处沉积Ag纳米颗粒材料，将Pt接触引线穿过封装基体引线孔，并将Ag纳米颗粒材料与Pt接触引线烧结，然后在Ag纳米颗粒材料周围、SiC高温压力传感器芯片与封装基体间隙处填充玻璃熔胶。
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