[发明专利]半导体装置及制造该半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201910052818.0 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN110246896A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 李栗;益冈有里 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘润蓓;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：至少一个有源图案，位于基底上；至少一个栅电极，与所述至少一个有源图案交叉；源极/漏极区域，位于所述至少一个有源图案上，源极/漏极区域位于所述至少一个栅电极的相对侧上；以及阻挡层，位于源极/漏极区域中的至少一个源极/漏极区域与所述至少一个有源图案之间，阻挡层至少位于源极/漏极区域的底部上并包括氧。 | ||
| 搜索关键词： | 源极/漏极区域 半导体装置 源图案 栅电极 阻挡层 基底 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：至少一个有源图案，位于基底上；至少一个栅电极，与所述至少一个有源图案交叉；源极/漏极区域，位于所述至少一个有源图案上，源极/漏极区域位于所述至少一个栅电极的相对侧上；阻挡层，位于源极/漏极区域中的至少一个源极/漏极区域与所述至少一个有源图案之间，阻挡层至少位于源极/漏极区域的底部上并包括氧。
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