[发明专利]半导体装置及制造该半导体装置的方法

说明书

提供了一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：至少一个有源图案，位于基底上；至少一个栅电极，与所述至少一个有源图案交叉；源极/漏极区域，位于所述至少一个有源图案上，源极/漏极区域位于所述至少一个栅电极的相对侧上；以及阻挡层，位于源极/漏极区域中的至少一个源极/漏极区域与所述至少一个有源图案之间，阻挡层至少位于源极/漏极区域的底部上并包括氧。

于2018年3月7日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0026923号韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及半导体装置以及制造该半导体装置的方法，具体地，涉及包括场效应晶体管的半导体装置以及制造该半导体装置的方法。

背景技术

半导体装置可以包括具有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS-FET)的集成电路。为了满足对具有小图案尺寸和减少的设计规则的半导体装置的增长的需求，缩小了集成电路中的MOS-FET。然而，MOS-FET的缩小会导致半导体装置的操作特性劣化。因此，正在进行各种研究以克服与半导体装置的缩小有关的技术限制并实现高性能半导体装置。

发明内容

根据一些实施例，半导体装置可以包括：至少一个有源图案，位于基底上；至少一个栅电极，与所述至少一个有源图案交叉；源极/漏极区域，位于所述至少一个有源图案上，源极/漏极区域位于所述至少一个栅电极的相对侧上；以及阻挡层，位于源极/漏极区域中的至少一个源极/漏极区域与所述至少一个有源图案之间，阻挡层至少位于源极/漏极区域的底部上并包括氧。

根据一些实施例，半导体装置可以包括：至少一个有源finFET图案，位于基底上；至少一个栅电极，与所述至少一个有源finFET图案交叉；源极/漏极区域，位于所述至少一个有源finFET图案上，源极/漏极区域位于所述至少一个栅电极的相对侧上；以及阻挡层，位于源极/漏极区域中的每个源极/漏极区域与所述至少一个有源finFET图案之间，阻挡层沿源极/漏极区域的底部是共形的并包括氧。

根据一些实施例，半导体装置可以包括：至少一个有源图案，位于基底上；至少一个栅电极，与所述至少一个有源图案交叉；源极/漏极区域，位于所述至少一个有源图案上，源极/漏极区域位于所述至少一个栅电极的相对侧上；第一阻挡层，位于源极/漏极区域中的每个源极/漏极区域与所述至少一个有源图案之间，第一阻挡层至少位于源极/漏极区域的底部上并包括氧；以及第二阻挡层，位于源极/漏极区域中的每个源极/漏极区域的顶表面与对应的第一阻挡层之间，第一阻挡层和第二阻挡层彼此分隔开。

根据一些实施例，半导体装置可以包括：有源图案，位于基底的第一区域和第二区域上；栅电极，与有源图案交叉；源极/漏极区域，位于有源图案上，源极/漏极区域中的两个源极/漏极区域分别位于栅电极中的每个栅电极的相对侧上；以及阻挡层，在基底的第一区域中位于源极/漏极区域中的每个源极/漏极区域与有源图案之间，阻挡层至少位于源极/漏极区域的底部上并且包括氧。

根据一些实施例，制造半导体装置的方法可以包括：在基底上形成至少一个有源图案；形成与所述至少一个有源图案交叉的至少一个栅电极；在所述至少一个有源图案中形成凹进部分，凹进部分位于所述至少一个栅电极的相对侧上；在凹进部分中的至少一个凹进部分中共形地形成阻挡层，使得阻挡层包括氧；在阻挡层上形成源极/漏极区域。

根据一些实施例，制造半导体装置的方法可以包括：在基底上形成至少一个有源图案；形成与所述至少一个有源图案交叉的至少一个栅电极；通过外延生长工艺在所述至少一个有源图案上形成源极/漏极区域，源极/漏极区域位于所述至少一个栅电极的相对侧上；在源极/漏极区域中的每个源极/漏极区域与所述至少一个有源图案之间形成阻挡层，阻挡层包括氧。